01
MOCVD技术总览
什么是MOCVD？产业链位置、核心挑战与优化方向
总览半导体
02
反应腔体设计基础
水平/垂直反应腔、喷淋头、基座加热、压力控制
硬件热场
03
前驱体源瓶系统
TMGa/TMAl/TMIn/NH₃、源瓶温控、载气选择、鼓泡器
前驱体源瓶
04
衬底准备与处理
蓝宝石/SiC/Si衬底、清洗、氮化缓冲层、温度校准
衬底清洗
05
温度场控制
热电偶/红外测温、均匀性、升降温速率、薄膜质量
温度热管理
06
压力控制
压力对生长速率影响、低压/常压对比、稳定性、泵组
压力真空
07
气体输运与流量控制
MFC原理、管路设计、切换顺序、死体积与响应
气体MFC
08
V/III比优化
V/III定义、组分/形貌/缺陷影响、优化策略
配比化学计量
09
生长速率控制
温度/压力/流量关系、单原子层生长
速率动力学
10
外延层组分控制
InGaN/AlGaN组分、均匀性、带隙、测量方法
组分合金
11
掺杂技术
n型(Si)/p型(Mg)、浓度/均匀性、激活退火
掺杂电学
12
异质结与量子阱
界面质量、阱厚控制、MQW、界面陡峭度
量子阱异质结
13
缓冲层技术
低温GaN/AlN缓冲层、超晶格、位错抑制
缓冲层位错
14
缺陷控制
位错类型、密度测量、Elog技术、抑制策略
缺陷位错
15
表面形貌控制
原子台阶流、2D/3D生长、粗糙度、SK/VW/FM模式
形貌生长模式
16
原位监测技术
RHEED、光学反射率、曲率监测、温度监测
原位监测
17
工艺重复性
批次间重复性、Run-to-Run控制、窗口漂移、预防维护
重复性稳定性
18
工艺参数DOE设计
全因子/部分因子、响应曲面、中心复合、交互作用
DOE统计
19
机器学习在MOCVD中的应用
数据清洗、特征工程、回归预测、参数推荐
AI数据科学
20
GaN基LED工艺优化
MQW发光层、EBL设计、p型激活、光提取效率
LEDGaN
21
GaN基HEMT工艺优化
AlGaN/GaN异质结、2DEG浓度、栅极工程、钝化层
HEMT功率
22
InP基器件工艺优化
InP衬底、InGaAsP/InP量子阱、波导、激光器
InP光电子
23
GaAs基器件工艺优化
GaAs衬底、AlGaAs/GaAs、HBT、VCSEL
GaAsVCSEL
24
SiC基器件工艺优化
SiC衬底、同质外延、掺杂控制、功率器件
SiC功率
25
钙钛矿材料MOCVD
钙钛矿前驱体、低温生长、薄膜均匀性、稳定性
钙钛矿光伏
26
二维材料MOCVD
MoS₂/WS₂、成核控制、大面积均匀性、转移
2DTMD
27
工艺故障诊断
颗粒/裂纹/组分偏移、故障树、根因分析、应急处理
故障诊断
28
安全与环保
前驱体毒性、泄漏检测、废液处理、原位/干法清洗
安全环保
29
先进MOCVD技术
选择性外延(SAE)、纳米柱、石墨烯辅助、远程等离子体
先进SAE
30
工艺优化案例实战
从零优化LED外延片、参数调整、数据分析、结果评估
实战案例