01
MOCVD基础与反应机理
MOCVD技术原理、气相与表面反应路径、生长模式（层状/岛状）、前驱体选择原则。
原理反应路径
02
设备核心部件解析
反应腔室结构、喷淋头设计、基座加热系统、真空与压力控制系统。
硬件腔体
03
温度控制故障诊断
热电偶失效、加热丝断裂、温度均匀性差、PID参数失配。
温控热电偶
04
压力控制故障诊断
真空泵故障、压力传感器漂移、漏率超标、蝶阀卡滞。
真空传感器
05
气体输运系统故障
MFC零点漂移、阀门泄漏、管道堵塞、载气纯度下降。
MFC泄漏
06
前驱体源瓶故障
源瓶加热不均、前驱体耗尽、鼓泡器效率下降、管路冷凝堵塞。
源瓶鼓泡器
07
衬底与基座问题
衬底翘曲、基座表面老化、热接触不良、旋转机构卡顿。
衬底热接触
08
膜厚均匀性异常
边缘增厚/减薄、中心凸起、径向均匀性差、批次间重复性差。
均匀性膜厚
09
组分控制异常
固溶体组分偏离、掺杂浓度异常、源流量比失配、记忆效应。
组分掺杂
10
表面形貌缺陷
金字塔缺陷、坑洞、台阶聚集、表面粗糙度超标。
形貌缺陷
11
异质界面质量
界面陡峭度退化、互扩散层、界面态密度升高、二维电子气退化。
界面2DEG
12
在位监测系统故障
反射率计信号异常、RHEED图像模糊、热偶式温度计偏差。
监测RHEED
13
尾气处理系统故障
颗粒物堵塞、泵油乳化、scrubber效率下降、有毒气体泄漏。
尾气安全
14
安全联锁系统故障
O2/H2传感器误报、紧急切断阀误动作、互锁逻辑失效。
联锁传感器
15
工艺重复性差
环境温湿度影响、源批次差异、设备老化漂移、操作员差异。
重复性环境
16
常见材料体系故障（GaN）
黄带发光、位错密度高、裂纹、p型掺杂困难。
GaN位错
17
常见材料体系故障（GaAs）
深能级缺陷、背景载流子浓度高、As析出。
GaAs缺陷
18
常见材料体系故障（InP）
组分均匀性差、孪晶、界面粗糙、热稳定性差。
InP孪晶
19
常见材料体系故障（ZnO）
本征缺陷多、p型掺杂困难、欧姆接触差。
ZnOp型
20
常见材料体系故障（钙钛矿）
相不纯、薄膜覆盖率低、晶粒尺寸不均。
钙钛矿薄膜
21
故障诊断逻辑树
症状→可能原因→排查步骤→验证方法→解决方案。
逻辑树排查
22
数据驱动的故障诊断
SPC控制图、多变量分析、机器学习异常检测、数字孪生。
数据SPC
23
标准操作流程（SOP）编写
开机/关机流程、日常点检、定期维护、紧急停机。
SOP维护
24
故障案例库建设
案例模板、根因分析（RCA）、经验沉淀、知识图谱构建。
案例库RCA
25
预防性维护策略
PM计划制定、备件管理、寿命预测、状态监测。
PM备件
26
快速排查工具与仪器
泄漏检测仪、热成像仪、颗粒计数器、质谱仪。
仪器检测
27
工艺参数优化方法
DOE实验设计、响应面法、遗传算法、贝叶斯优化。
DOE优化
28
设备验收与调试
安装确认（IQ）、运行确认（OQ）、性能确认（PQ）、工艺验证。
验收IQ/OQ
29
团队协作与沟通
故障上报流程、跨部门协作、交接班记录、技术复盘会议。
协作复盘
30
未来趋势与新技术
原子层沉积（ALD）与MOCVD混合、AI辅助工艺开发、远程诊断与运维。
ALDAI