01
MOCVD技术概述
基本原理、技术发展历程、在LED/功率器件领域的核心地位。
原理发展应用
02
衬底材料选择
蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓自支撑衬底特性对比与选型依据。
蓝宝石SiCGaN
03
衬底清洗原理
有机沾污、金属离子、颗粒物的去除机制与清洗液化学作用。
沾污化学机理
04
RCA标准清洗法
SC-1（APM）和SC-2（HPM）的配方、反应机理与工艺窗口。
SC-1SC-2配方
05
有机溶剂清洗
丙酮、异丙醇、乙醇的脱脂原理与超声辅助清洗技术。
丙酮IPA超声
06
酸洗与腐蚀
硫酸、磷酸、氢氟酸、王水在衬底表面处理中的应用与安全规范。
H₂SO₄HF安全
07
碱性清洗液
TMAH、KOH、NH₄OH对硅/蓝宝石衬底的各向异性腐蚀特性。
TMAHKOH各向异性
08
去离子水冲洗
电阻率监测、最终漂洗时间（FRT）与干燥技术（旋转干燥/IPA蒸汽干燥）。
DI水FRT干燥
09
等离子体清洗
氧等离子体、氢等离子体、Ar等离子体的物理轰击与化学活化机制。
O₂H₂Ar
10
紫外臭氧清洗
UV/O₃协同作用去除有机残留，光化学氧化反应路径。
UVO₃光化学
11
高温烘烤预处理
真空烘烤与H₂氛围烘烤的温度、时间参数对表面重构的影响。
真空H₂重构
12
氮化预处理
蓝宝石衬底表面氮化形成AlN缓冲层的工艺条件与表征。
AlN氮化缓冲层
13
氢化物气相外延（HVPE）预处理
GaN模板层的生长前处理与界面工程。
HVPEGaN界面
14
MOCVD原位预处理
反应腔内H₂/NH₃混合气体高温退火去除表面氧化层。
原位H₂/NH₃退火
15
表面钝化技术
SiNx、Al₂O₃、SiO₂薄膜沉积对衬底表面态的控制。
SiNxAl₂O₃钝化
16
化学机械抛光（CMP）
浆料选择、抛光垫、压力与转速对表面粗糙度的优化。
CMP粗糙度浆料
17
湿法腐蚀坑密度（EPD）评估
熔融KOH腐蚀法揭示衬底位错密度。
EPDKOH位错
18
原子力显微镜（AFM）表征
表面形貌、均方根粗糙度（Rq）与台阶流模式分析。
AFMRq台阶流
19
X射线光电子能谱（XPS）分析
表面化学态、元素组成与沾污层厚度测定。
XPS化学态沾污
20
接触角测量
表面亲疏水性评估清洗效果，水接触角与表面能的关系。
接触角亲水表面能
21
光致发光（PL）与阴极发光（CL）表征
表面缺陷与杂质发光峰识别。
PLCL缺陷
22
二次离子质谱（SIMS）
痕量金属沾污的深度分布与定量分析。
SIMS深度沾污
23
预处理工艺对薄膜质量的影响
预处理与GaN外延层位错密度、载流子迁移率的关联。
位错迁移率关联
24
蓝宝石衬底预处理专论
高温H₂刻蚀、氮化、缓冲层生长的协同优化。
蓝宝石H₂刻蚀缓冲层
25
硅衬底预处理专论
HF最后清洗、H₂烘烤、AlN/AlGaN过渡层设计。
SiHFAlN
26
碳化硅衬底预处理专论
H₂刻蚀、KOH腐蚀、表面台阶控制。
SiC台阶KOH
27
GaN自支撑衬底预处理专论
CMP、离子注入剥离、表面再生。
GaNCMP剥离
28
预处理工艺的自动化与在线监测
机械手集成、光学终点检测、实时颗粒计数。
自动化终点检测颗粒
29
工艺故障分析与良率提升
典型沾污源追溯、清洗液寿命管理、SPC控制图。
故障SPC良率
30
未来趋势
原子层刻蚀（ALE）、湿法气相混合清洗、绿色化学清洗液开发。
ALE绿色趋势