01
MOCVD技术概论
基本原理、历史发展、在化合物半导体产业中的核心地位。
基础历史
02
反应器设计基础
水平式、垂直式、行星式反应器结构特点与气流场分析。
反应器流体
03
工艺参数全景图
温度、压力、MO源流量、V/III比、生长速率等关键参数物理意义。
参数核心
04
衬底选择与预处理
蓝宝石、SiC、GaN、Si衬底特性对比及表面处理工艺。
衬底表面
05
MO源与载气系统
常用MO源(TMGa,TMAl,TMIn,CP2Mg)特性、鼓泡器原理与管路设计。
MO源气路
06
热场与温控技术
加热方式(射频/电阻)、热电偶与高温计测温、温度均匀性控制。
热场温控
07
气流场与反应动力学
边界层理论、质量输运限制与表面反应限制机制。
动力学输运
08
原位监测技术
反射率计(RHEED)、光谱椭偏仪、曲率测量在工艺监控中的应用。
监测原位
09
工艺转移核心概念
从R&D到量产、从A机台到B机台的转移方法论。
转移方法论
10
转移前的基线建立
机台验收标准、基线工艺开发与稳定性验证。
基线验证
11
等效参数映射法
如何将源机台工艺参数映射到目标机台，保持生长结果一致。
映射等效
12
温度校准与映射
使用熔点标准片、反射率曲线特征点进行温度对标。
温度校准
13
压力校准与气流匹配
压力传感器校准、MFC线性化与气流等效。
压力MFC
14
生长速率校准
利用XRD、SEM、反射率振荡精确标定生长速率。
速率表征
15
组分与掺杂校准
通过PL、XRD、Hall测试校准Al组分、In组分及掺杂浓度。
组分掺杂
16
界面质量控制
转移过程中如何保持异质结界面的陡峭性与二维电子气特性。
界面2DEG
17
翘曲与应力管理
转移过程中热失配应力的演变规律与补偿策略。
应力翘曲
18
缺陷密度控制
位错、坑洞、裂片的成因分析及转移过程中的优化方法。
缺陷优化
19
工艺放大基础
从单片到多片、从小反应室到大反应室的放大策略。
放大策略
20
放大中的热场均匀性
多加热区设计、热辐射补偿与仿真优化。
热场均匀性
21
放大中的气流均匀性
喷淋头设计、旋转速度优化与CFD辅助。
气流CFD
22
放大中的MO源消耗
源效率计算、消耗模型与成本控制。
成本效率
23
多反应腔匹配
同一型号多台机台之间的工艺一致性控制方法。
匹配一致性
24
统计过程控制(SPC)在放大中的应用
控制图、Cp/Cpk、异常检测与反馈。
SPC质量
25
设计实验(DOE)在转移与放大中的应用
全因子、部分因子、响应曲面法实战。
DOE实验设计
26
转移与放大中的常见故障
颗粒污染、裂片、组分漂移、记忆效应及解决方案。
故障解决
27
案例实战1：GaN HEMT
外延工艺从Aixtron 2400转移到Veeco K475。
GaNHEMT
28
案例实战2：红光LED (AlGaInP)
外延工艺从3片机放大到12片机。
LED放大
29
案例实战3：VCSEL (AlGaAs)
跨代转移与良率提升。
VCSEL良率
30
未来趋势
机器学习辅助工艺转移、数字孪生、全自动MOCVD工厂展望。
AI数字孪生