MOCVD源材料选择与配比秘籍
📚 共计 30 章节
第01章
MOCVD技术概述
发展史 · 基本原理与反应机制 · 半导体产业应用全景
基础
原理
第02章
源材料分类与特性
金属有机源 · 氢化物源 · 物理化学性质对比
MO源
氢化物
第03章
源材料选择核心原则
蒸气压匹配 · 热稳定性 · 反应活性 · 纯度与杂质
选型
准则
第04章
常用III族源材料详解
TMGa · TEGa · TMIn · TEIn · TMAl · TEAl
III族
金属有机
第05章
常用V族源材料详解
AsH₃ · PH₃ · NH₃ · TBAs · TBP
V族
氢化物
第06章
掺杂源材料选择
n型(SiH₄,Si₂H₆,Te) · p型(Cp₂Mg,DEZn,CBr₄)
掺杂
n/p型
第07章
源材料纯度与杂质控制
金属杂质 · 氧碳 · 水分 · 颗粒度
纯度
杂质
第08章
源材料存储与安全
MO源存储 · 氢化物安全 · 泄漏应急 · 废弃物
安全
存储
第09章
源材料输送系统设计
鼓泡器 · 载气(H₂/N₂) · 管路 · 流量控制
输送
系统
第10章
源材料蒸气压计算与调控
Antoine方程 · 温度影响 · 校准方法
蒸气压
计算
第11章
源材料配比基础
V/III比 · 生长速率 · 配比基本公式
配比
基础
第12章
GaN材料体系源配比
GaN · InGaN量子阱 · AlGaN势垒层
GaN
氮化物
第13章
GaAs材料体系源配比
GaAs · InGaAs应变层 · AlGaAs限制层
GaAs
砷化物
第14章
InP材料体系源配比
InP · InGaAsP量子阱 · AlInAs缓冲层
InP
磷化物
第15章
ZnO材料体系源配比
ZnO · MgZnO合金 · 掺杂配比
ZnO
氧化物
第16章
源材料配比优化实验设计
正交实验 · 响应曲面 · 单因素 · DOE实例
DOE
优化
第17章
配比与薄膜质量关系
晶体质量 · 表面形貌 · 光电性能
薄膜
质量
第18章
配比与生长速率调控
线性关系 · 质量输运/动力学限制 · 调控技巧
速率
调控
第19章
配比与组分控制
三元/四元合金 · 组分均匀性优化
组分
合金
第20章
配比与掺杂浓度控制
流量关系 · 掺杂效率 · 均匀性优化
掺杂
浓度
第21章
配比与界面质量
异质结陡峭度 · 过渡层抑制 · 缺陷控制
界面
异质结
第22章
配比与应力调控
晶格失配 · 应变补偿 · 裂纹抑制
应力
应变
第23章
配比与选择性外延
选择性生长原理 · 选择比 · 掩膜材料
选择性
外延
第24章
配比与量子结构生长
量子阱 · 量子点 · 超晶格
量子阱
超晶格
第25章
配比与LED器件性能
多量子阱 · 电子阻挡层 · p型层优化
LED
有源区
第26章
配比与激光器性能
波导层 · 有源区 · 限制层优化
激光器
波导
第27章
配比与HEMT器件性能
沟道层 · 势垒层 · 盖帽层优化
HEMT
二维电子气
第28章
配比与太阳能电池性能
吸收层 · 窗口层 · 背场层优化
太阳能
光伏
第29章
常见问题与故障排除
源耗尽 · 分解 · 配比漂移 · 重复性
故障
排除
第30章
前沿技术与发展趋势
新型MO源 · AI辅助 · 原位监测 · 绿色MOCVD
前沿
趋势