📘 SiliconSmart 特征化实战

标准单元库 · 从入门到项目实战
📚 30 章 完整特征化 🧩 友好
01 SiliconSmart 概述
  • 什么是标准单元库特征化
  • SiliconSmart 工具简介
  • 特征化在数字后端流程中的位置
02 环境搭建与安装
  • SiliconSmart 软件安装
  • License 配置
  • 环境变量设置 & 依赖工具检查
03 工艺文件准备
  • 理解 .lib 模型
  • .tch 技术文件 & .sp SPICE 网表
  • 工艺角 (PVT) 定义
04 输入文件详解
  • .plib 库文件结构
  • .ctrl 控制文件配置
  • .tch 技术文件参数解析
05 SPICE 模型与网表
  • MOS管模型 (BSIM3/4)
  • 标准单元网表结构
  • 寄生参数提取
06 时序弧与逻辑建模
  • 时序弧 (Timing Arc) 概念
  • 组合逻辑与时序逻辑建模
  • 状态机建模
07 延迟计算基础
  • Cell Rise/Fall Delay
  • Transition Time
  • Input Slew 与 Output Load 的关系
08 查找表 (NLDM) 生成
  • NLDM 原理
  • 二维查找表生成
  • 索引点选择策略
09 约束与时序检查
  • Setup/Hold Time
  • Recovery/Removal Time
  • Minimum Pulse Width 检查
10 功耗建模
  • 动态功耗 (Switching Power)
  • 内部功耗 (Internal Power)
  • 漏电功耗 (Leakage Power)
11 噪声与串扰建模
  • 输出噪声 (Output Noise)
  • 串扰噪声 (Crosstalk Noise)
  • 噪声传播模型
12 CCS 模型生成
  • CCS 原理 & 电流波形建模
  • 与 NLDM 的对比
  • 精度提升策略
13 ECSM 模型生成
  • ECSM 简介
  • 电容建模
  • 时序精度提升
14 Liberty 格式详解
  • .lib 文件结构
  • group 与 attribute
  • 电压/温度/工艺角映射
15 时序库验证
  • 库一致性检查
  • 时序精度验证
  • 与 SPICE 仿真结果对比
16 功耗库验证
  • 功耗模型精度验证
  • 不同 PVT 条件下功耗对比
  • 漏电模型校准
17 噪声库验证
  • 噪声模型精度验证
  • 串扰噪声传播验证
  • 与 HSPICE 结果对比
18 多电压域特征化
  • 多电压域库生成
  • 电平转换器特征化
  • 电压域交叉时序
19 低功耗单元特征化
  • MTCMOS (多阈值) 单元
  • 电源门控 (Power Gating)
  • 保持寄存器 (Retention Flip-Flop)
20 特殊单元特征化
  • 时钟门控 (Clock Gating)
  • 多输入组合逻辑
  • 三态门 (Tri-state Buffer)
21 存储器与 IP 特征化
  • SRAM/ROM 特征化方法
  • 定制 IP 库特征化
  • Memory Compiler 输出处理
22 并行与批量特征化
  • 多核并行运行
  • 批量任务调度
  • 分布式计算环境配置
23 脚本自动化
  • Tcl 脚本控制 SiliconSmart
  • Python 自动化流程
  • Makefile 构建系统
24 调试与错误处理
  • 常见错误代码解析
  • 日志文件分析
  • SPICE 仿真失败排查
25 精度优化技巧
  • Slew/Load 索引点优化
  • 仿真精度设置
  • 收敛性提升方法
26 性能优化技巧
  • 减少仿真次数
  • 复用仿真结果
  • 加速收敛策略
27 库质量评估
  • 库质量指标 (QoR)
  • 时序/功耗/噪声综合评估
  • 与 Foundry 参考库对比
28 版本管理与回归
  • 库版本控制
  • 回归测试流程
  • 自动化回归脚本编写
29 与 EDA 工具集成
  • 与 Synopsys DC/PT 集成
  • 与 Cadence Genus/Tempus 集成
  • 与 Innovus/ICC2 集成
30 项目实战案例
  • 从零开始构建标准单元库
  • 完整特征化流程演示
  • 常见问题与解决方案总结