📡 射频芯片 · 工艺选择与流片全流程
📘 30章 从入门到流片实战
📁 30个章节
完整版
⚡ 工艺·设计·流片
01
射频芯片概述
定义、应用领域（手机/雷达/物联网）及设计挑战
02
半导体工艺基础
硅基(CMOS/SiGe BiCMOS) vs 化合物(GaAs/GaN/InP) 物理对比
03
工艺选择核心指标
fT/fmax、击穿电压、噪声系数、PAE 权衡
04
CMOS工艺详解
28nm / 22nm FD-SOI 射频应用与优缺点
05
SiGe BiCMOS工艺
HBT优势、0.13μm/0.18μm节点选择策略
06
GaAs工艺
pHEMT vs HBT，PA与LNA场景
07
GaN工艺
HEMT特性、基站/军用雷达高压大功率
08
InP工艺
超高速器件 >300GHz fT，太赫兹/光通信
09
工艺选择决策树
频率·功率·噪声·成本 四维流程图
10
PDK解析
器件模型/参数化单元/设计规则 & 版本管理
11
射频器件建模
无源EM仿真 & 有源器件紧凑模型
12
设计规则检查 (DRC)
金属密度/天线效应/衬底接触，常见错误修复
13
LVS一致性检查
射频版图寄生提取 & LVS通过策略
14
电磁仿真 (EM)
ADS Momentum / HFSS / EMX 流程与技巧
15
后仿真与寄生提取
寄生RCL影响 & QRC/StarRC使用
16
流片前检查清单
电源完整性/ESD/IO规划/温度工艺角覆盖
17
MPW与Full Mask流片
成本对比、适用场景、时间周期
18
流片流程详解
GDSII交付→掩膜版→晶圆制造关键步骤
19
晶圆测试 (CP测试)
射频探针台、S参数测量、良率分析
20
封装与测试
QFN/BGA/WLCSP、封装寄生、FT测试
21
射频芯片可靠性
EM/HCI/NBTI 在射频下的特殊性
22
工艺角与蒙特卡洛
射频电路工艺波动敏感性 & 统计仿真
23
温度补偿与自加热
射频功率器件自热模型 & 补偿电路
24
射频接地与衬底耦合
深N阱/保护环/SOI隔离、共模抑制
25
静电放电 (ESD) 防护
分布式ESD/电感辅助ESD、HBM/CDM
26
电磁兼容 (EMC)
谐波抑制、杂散发射、屏蔽设计
27
LNA工艺选择
噪声系数与功耗折中、经典设计案例
28
PA工艺选择
GaAs vs GaN vs CMOS 线性度/效率、负载线
29
混频器与振荡器工艺
无源/有源混频器偏好、VCO相位噪声
30
未来趋势
毫米波/太赫兹挑战、异构集成3D IC/SiP