📡 射频芯片 · 开关与衰减器
设计手册 · 30章 从入门到精通
📘 风格
🌈 暖橙·天蓝·草绿
01
射频开关基础
作用·分类 SPST/SPDT/SPnT · 插损/隔离度/P1dB/IP3
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02
PIN二极管开关原理
PIN结构·I区特性·正偏/反偏·等效电路
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03
PIN二极管开关设计
串联/并联拓扑·偏置电路·驱动设计
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04
FET开关原理
GaAs pHEMT · CMOS SOI · 导通电阻/关断电容·栅极逻辑
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05
FET开关设计
串联/并联FET·堆叠技术·栅极偏置电阻
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06
开关关键指标分析
插损/隔离度 vs 频率 · P1dB计算
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07
开关线性度分析
IP2/IP3 · 非线性来源 · 谐波/交调 · 大信号
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08
开关设计实例1
SPDT设计流程·拓扑选择·元件参数计算
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09
开关设计实例2
SP4T/SP8T·解码器集成·控制逻辑
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10
开关仿真与测试
S参数·大信号谐波·Load-pull·开关时间
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11
衰减器基础
固定/可变衰减器·衰减量(dB)定义
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12
电阻网络衰减器
T型·π型·桥T型·电阻值公式推导
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13
分布式衰减器
集总/分布式·频率响应·宽带设计
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14
数字步进衰减器(DSA)原理
二进制加权·开关+衰减单元·精度
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15
DSA设计1
衰减单元(串联/并联/π型)·插损补偿
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16
DSA设计2
开关驱动逻辑·串行/并行接口·ESD保护
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17
DSA关键指标
衰减精度·步进误差·相位一致性·开关时间·功率
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18
DSA设计实例
6位DSA (0.5dB步进,31.5dB) · 版图布局
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19
电压可变衰减器(VVA)原理
PIN二极管VVA · FET VVA · 模拟控制
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20
VVA设计
偏置电路·控制电压范围·线性化技术
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21
开关与衰减器集成设计
收发前端·级联·噪声系数预算
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22
宽带设计技术
分布式·负反馈补偿·多级级联匹配·带宽扩展
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23
高功率设计
功率容量·热设计·堆叠FET·PIN功率处理
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24
低噪声设计
噪声系数·低插损·开关与LNA协同
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25
线性度优化
非线性失真·预失真·反馈线性化·工艺
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26
版图设计
射频版图要点·接地屏蔽·寄生参数·EMC
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27
封装与测试
QFN/BGA/CSP·测试夹具·去嵌入
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28
工艺选择
GaAs pHEMT · CMOS SOI · SiGe BiCMOS · PIN
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29
设计实例1
5G Sub-6GHz SPDT · 0.5dB插损·30dB隔离
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30
设计实例2
Ku波段6位DSA · 0.5dB步进·DC-18GHz
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