台积电光刻工艺与良率提升实战 · 课程目录

01

光刻技术概论

摩尔定律到台积电演进 · 核心地位

02

光刻系统核心组件

DUV/EUV光源 · 照明 · 掩模台 · 物镜 · 工件台

03

光刻胶化学与工艺

CAR机理 · 涂布/软烘/曝光/PEB/显影

04

工艺窗口与分辨率

瑞利判据 · K1 · NA · 工艺窗口计算

05

光学邻近效应校正(OPC)

RB-OPC / MB-OPC 实战案例

06

相移掩模(PSM)技术

AttPSM · AltPSM · 先进节点应用

07

多重图形化(MPT)

LELE · LFLE · SADP · SAQP · 良率挑战

08

EUV光刻技术实战

LPP/DPP · 反射光学 · 掩模缺陷控制

09

光刻胶显影缺陷与良率

缺陷分类 · 检测 · 根因分析(RCA)

10

套刻精度(Overlay)控制

误差来源 · ASML/台积电补偿策略

11

关键尺寸(CD)均匀性控制

CD-SEM · 烘烤/厚度/剂量影响

12

统计过程控制(SPC)

Cp/Cpk · 光刻产线监控体系

13

光刻胶涂布工艺优化

EBR · 厚度均匀性 · 气泡预防

14

曝光后烘烤(PEB)工艺

温度均匀性 · 热板校准与维护

15

显影工艺优化

浓度/温度/时间 · 喷嘴设计(Stream vs Spray)

16

光刻胶剥离与清洗

干法/湿法去胶 · 残留物控制

17

缺陷检测与分类

明/暗场 · EBI · ADC自动分类

18

良率提升方法论

DMAIC案例 · 光刻工艺应用

19

实验设计(DOE)应用

全因子 · RSM · 曝光剂量/焦距优化

20

FMEA故障模式分析

光刻机/胶/工艺参数FMEA

21

先进节点(N3/N2)挑战

High-NA EUV · 随机缺陷 · 灵敏度权衡

22

光刻掩模制造与检验

MDP · 缺陷修复 · Pellicle

23

自动化与智能制造

APC · R2R · FDC

24

静电放电(ESD)防护

ESD影响 · 台积电控制规范

25

颗粒污染控制

AMC · 化学过滤器选择

26

厚度与反射率控制

BARC · TARC · 工艺优化

27

衬底效应与补偿

晶圆翘曲 · 粗糙度 · 补偿方法

28

跨模块协同优化

光刻与刻蚀/离子注入协同

29

良率数据分析实战

Pareto · 相关性 · 假设检验

30

光刻工艺未来趋势

DSA · NIL · ML2 · 台积电布局