从工研院衍生到全球晶圆代工龙头，关键里程碑：1987成立、先进制程领先、3nm量产。
从沙子到晶圆：硅提纯、拉晶、切割、抛光，晶圆尺寸演进（6寸→8寸→12寸→18寸）。
光刻机工作原理、光刻胶类型、分辨率极限与瑞利判据、光源波长演进至EUV。
节点数字真实含义、微米到纳米命名演变、与三星/Intel命名差异。
台积电早期主力工艺，混合信号与射频应用，技术特点与典型产品案例。
铜互连、低k介电、应变硅技术初探，台积电90nm节点突破。
低功耗与高性能双版本、栅氧化层优化，移动芯片奠基工艺。
「中端之王」，HKMG引入，GPU、游戏主机芯片广泛采用。
最成功节点之一，HKMG+SiGe应变，长生命周期多代衍生版本。
首个后栅极(gate-last)工艺，性能与成本挑战，过渡节点。
FinFET结构详解，平面到立体革命，与竞争对手14nm对比。
高密度与高性能平衡，SRAM缩小，苹果A10X/A11应用。
EUV引入(7nm+)，DUV/EUV混合光刻，N7/N7P/N7+家族差异。
全面EUV，鳍片优化与标准单元创新，N5/N5P/N4/N4P演进。
FinFlex技术，标准鳍/高密度鳍混合，N3B/E/P/X定位。
GAA Nanosheet晶体管，N2技术路线图与预期量产时间。
CIS图像传感器、eFlash嵌入式闪存、高压(HV)工艺。
射频(RF)、模拟/混合信号、微机电系统(MEMS)工艺。
CoWoS-S到CoWoS-L演进，AI加速器(NVIDIA/AMD)应用。
InFO_PoP手机AP，3D Fabric与SoIC系统集成芯片技术。
PDK组成要素：器件模型、设计规则、标准单元库，版本管理。
DRC核心概念，光学邻近修正(OPC)，多重图案化(LELE/SADP)。
良率模型(泊松/负二项)，在线监控，台积电良率学习曲线。
HCI、NBTI、电迁移(EM)、TDDB等可靠性机制。
Multi-Vt、功率门控、DVFS，ULP超低功耗平台。
开放创新平台(OIP)，设计服务联盟，IP生态，设计到量产流程。
台积电 vs 三星 vs Intel，节点对标与技术路线差异。
全球布局(亚利桑那/熊本/德累斯顿)，芯片法案与供应链安全。
1nm及以下物理极限，量子计算，CFET/2D材料，台积电下一个十年。