⚡ 台积电工艺迁移实战
28nm → 7nm
📘 30章 · 完整目录
🧩
30个模块
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从DRC到DFY
🚀
FinFET & 多重 patterning
🎯
实战迁移
01
28nm与7nm工艺概述
对比
工艺节点定义、关键参数对比(密度、功耗、性能)、迁移动机与挑战。
02
设计规则检查 (DRC) 迁移
多重 patterning
28nm DRC规则回顾、7nm DRC新规则(SAQP)、DRC脚本迁移实战。
03
标准单元库迁移
FinFET
28nm库特性、7nm库新特性(FinFET结构、复杂LEF)、库选择与评估。
04
I/O库与存储器编译器迁移
ESD
I/O电压域变化、ESD设计差异、SRAM编译器配置迁移。
05
模拟/混合信号IP迁移
寄生提取
模拟电路版图迁移策略、匹配性考量、寄生参数提取变化。
06
时序约束迁移
AOCV
从CCS到NLDM模型变化、OCV到AOCV迁移、时序例外处理。
07
静态时序分析 (STA) 设置
MCMM
7nm下STA工具配置、多角多模分析、信号完整性分析增强。
08
功耗分析迁移
DVFS
动态功耗与漏电模型变化、低功耗技术(电源门控)在7nm下的实现。
09
物理设计流程概述
FinFET流程
从平面到FinFET设计流程变化、关键步骤:floorplan, placement, CTS, routing。
10
布局规划 (Floorplan) 迁移
电源网络
die size估算、IO规划、电源网络规划(VDD/VSS mesh)、硬宏摆放策略。
11
电源网络设计
IR drop
7nm下IR drop挑战、电源网格密度优化、电迁移(EM)规则变化。
12
标准单元布局 (Placement) 迁移
拥塞
拥塞度评估、FinFET单元布局约束、时钟门控单元布局优化。
13
时钟树综合 (CTS) 迁移
clock mesh
7nm下时钟skew目标、时钟网格与H-tree选择、时钟功耗优化。
14
布线 (Routing) 迁移
DFM
多层金属堆栈变化、通孔优化、天线效应修复、DFM规则填充。
15
寄生参数提取 (RC) 迁移
CMP/LPE
7nm下寄生模型变化(CMP、LPE)、提取精度与效率平衡。
16
物理验证 (PV) 迁移
DFY
DRC、LVS、ERC规则集更新、金属填充策略、良率导向设计。
17
可靠性设计 (DFR) 迁移
HCI/NBTI
热载流子注入、负偏压温度不稳定性、电迁移老化分析。
18
可制造性设计 (DFM) 迁移
OPC/SRAF
OPC规则变化、SRAF插入、CMP热点修复。
19
ECO (工程变更指令) 流程迁移
自动化
功能ECO与时序ECO在7nm下的实现、ECO脚本自动化。
20
形式验证 (Formal) 迁移
LEC
逻辑等价性检查设置变化、跨工艺节点验证策略。
21
功能仿真与验证迁移
Fast-SPICE
7nm下仿真模型变化(混合信号仿真)、验证IP迁移。
22
测试与可测试性设计 (DFT) 迁移
JTAG
扫描链插入变化、压缩技术、边界扫描在7nm下的实现。
23
良率分析与提升
YMS
7nm下良率模型、关键面积分析、良率学习循环。
24
跨工艺节点IP集成
第三方IP
第三方IP评估、硬宏与软宏集成策略、接口时序收敛。
25
EDA工具链配置
PDK
Synopsys/Cadence/Mentor工具版本选择、PDK安装与配置、工艺文件设置。
26
项目管理与团队协作
里程碑
迁移项目计划制定、里程碑设定、跨团队沟通机制。
27
案例分析:成功迁移
AI芯片
某AI芯片迁移过程、遇到的问题与解决方案。
28
案例分析:失败迁移
通信芯片
某通信芯片迁移教训、时序不收敛与功耗超标原因分析。
29
未来趋势:3nm及以下
GAA
GAA晶体管、先进封装与异构集成展望。
30
课程总结与实战演练
动手实验
迁移流程总结、常见问题FAQ、使用PDK完成简单模块迁移。