台积电芯片设计规则与实战应用 · 课程目录

🧩 30个实战模块 📁 01.html ~ 30.html 🎯 友好色系 🏭 TSMC N7/N5/N3

01台积电工艺概览

发展史N7/N5/N3工艺选型

02设计规则基础

最小宽度/间距通孔规则金属层

DRC原理LVS检查常见错误

04天线效应与ESD

天线规则ESD保护IO设计

05金属层与通孔设计

堆叠结构通孔类型EM规则

06标准单元库

库结构组合/时序库特征化

07IO库与Pad设计

IO结构Pad类型ESD/闩锁

08存储器编译器

SRAM编译器实例化功耗/面积

09模拟与混合信号设计规则

器件匹配电容/电阻隔离环

10电源网络设计

电源网格IR DropEM检查

11时钟树综合

时钟结构偏差/抖动时钟门控

12静态时序分析 (STA)

时序路径建立/保持OCV/AOCV

动态/静态低功耗技术DVFS

14信号完整性

串扰噪声IR Drop影响屏蔽技术

DRC/LVS/ERC脚本编写Sign-off

16可制造性设计 (DFM)

CMP平坦化光刻热点OPC/RET

17可测试性设计 (DFT)

扫描链边界扫描BIST/ATPG

面积估算宏单元布局热管理

标准单元放置拥塞分析合法化

资源分配布线层选择拥塞缓解

规则检查通孔优化天线修复

关键路径缓冲器插入逻辑重组

多阈值电压时钟门控DVFS

逻辑综合布局优化布线优化

25多电压域设计

电压域划分电平转换器隔离单元

26层次化设计

模块接口黑盒处理层次验证

功能/时序ECO金属ECO脚本编写

28Sign-off流程

检查清单时序/功耗物理Sign-off

29流片与量产

掩模版晶圆制造测试封装

RTL到GDSII问题解决未来趋势