📷 中芯国际 CIS 图像传感器
工艺深度解析
30章
从像素到系统 · 全流程精讲
🏭
中芯国际
工艺平台
📚 30个技术专题
🎯 适合工程师/学生
01
CIS技术概述
图像传感器市场格局、中芯国际CIS工艺平台介绍、CIS芯片的基本工作原理
02
像素单元基础
4T像素结构详解、光电二极管(PD)设计、传输栅极(TG)与浮置扩散区(FD)
03
深沟槽隔离(DTI)技术
DTI工艺原理、前段DTI与后段DTI对比、中芯国际DTI工艺特点
04
微透镜与滤光片工艺
微透镜材料与成型、Bayer滤光片工艺、光刻胶回流技术
05
背照式(BSI)工艺
BSI vs FSI对比、晶圆减薄技术、背面钝化层工艺
06
堆叠式(Stacked)工艺
像素层与逻辑层键合、Cu-Cu混合键合、TSV技术
07
抗反射涂层(ARC)工艺
ARC材料选择、多层ARC设计、工艺窗口控制
08
金属互连工艺
铝互连与铜互连选择、金属反射抑制、光波导设计
09
像素内电容(PDC)技术
PDC结构原理、电容值优化、暗电流影响
10
全局快门(GS)工艺
GS像素架构、存储节点设计、电荷转移效率
11
低照度性能优化
暗电流抑制、读出噪声降低、量子效率提升
12
高动态范围(HDR)工艺
多增益HDR、大像素HDR、数字HDR技术
13
相位检测自动对焦(PDAF)工艺
PDAF像素结构、微透镜偏移、工艺兼容性
14
近红外(NIR)增强工艺
NIR响应提升、硅厚度优化、特殊掺杂技术
15
工艺集成与良率控制
关键工艺步骤、缺陷控制、在线检测方法
16
光刻工艺在CIS中的应用
高精度对准、关键层光刻、光刻胶优化
17
刻蚀工艺
硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀、高深宽比刻蚀
18
薄膜沉积工艺
PECVD、PVD、ALD在CIS中的应用
19
离子注入与退火
掺杂分布控制、退火条件优化、缺陷修复
20
化学机械抛光(CMP)
STI CMP、金属CMP、平坦化控制
21
湿法清洗工艺
颗粒去除、金属污染控制、表面钝化
22
晶圆级测试
电学测试、光学测试、良率分析
23
可靠性评估
温度循环、湿度测试、光照老化
24
封装工艺
CSP封装、晶圆级封装、光学封装
25
工艺仿真与TCAD
器件仿真、工艺仿真、光学仿真
26
中芯国际0.11μm CIS工艺
工艺节点特点、关键参数、应用场景
27
中芯国际55nm CIS工艺
工艺节点特点、关键参数、应用场景
28
中芯国际40nm CIS工艺
工艺节点特点、关键参数、应用场景
29
CIS工艺发展趋势
3D堆叠、混合键合、全局快门演进
30
CIS工艺设计规则
设计规则概览、关键尺寸、层次定义