硅光芯片流片与封装指南

📚 共计 30 章节
01
硅光芯片概述
什么是硅光芯片、优势、应用领域(数据中心/通信/传感)
基础概念
02
流片前准备
DRC、LVS、流片前仿真验证
验证检查
03
多项目晶圆(MPW)流片
MPW概念、流程、与全掩膜区别、成本分析
流片成本
04
全掩膜流片
全掩膜流程、掩膜版制作、周期、成本控制
掩膜量产
05
晶圆制造工艺基础
CMOS兼容、SOI、氮化硅、铌酸锂薄膜
工艺平台
06
光刻工艺
DUV/EUV、光刻胶、对准曝光、关键尺寸
光刻CD
07
刻蚀工艺
干法/湿法、刻蚀速率、选择比、损伤控制
刻蚀损伤
08
薄膜沉积
PECVD/LPCVD/ALD/溅射/蒸发,应力与均匀性
沉积薄膜
09
掺杂与扩散
离子注入、热扩散、退火、掺杂浓度控制
掺杂扩散
10
波导制造
单模/多模/脊形/条形波导,损耗控制
波导损耗
11
耦合器制造
光栅/端面/锥形耦合器,效率优化
耦合效率
12
调制器制造
MZM、微环、电光/热光调制器
调制高速
13
探测器制造
锗/硅/PIN/雪崩光电探测器
探测接收
14
无源器件制造
MMI、AWG、Echelle、Y分支、定向耦合器
无源分束
15
晶圆级测试
自动探针台、光栅/端面耦合测试、数据分析
测试晶圆
16
划片与裂片
金刚石/激光划片、隐形切割、裂片参数
划片裂片
17
端面抛光
机械/CMP抛光、端面角度控制、质量检测
抛光端面
18
芯片分选
自动分选、视觉检测、缺陷分类、良率统计
分选良率
19
封装材料选择
环氧/硅胶/金属/玻璃焊料,热膨胀匹配
材料CTE
20
光纤耦合封装
有源/无源对准、V型槽、光纤阵列、损耗优化
耦合封装
21
电气封装
金线键合、倒装焊、TSV、RDL、高频信号完整性
电气互连
22
热管理
热沉、热电制冷、微流道散热、热仿真
散热热沉
23
气密封装
平行缝焊、激光封焊、玻璃熔封、氦质谱检漏
气密检漏
24
可靠性测试
温度循环、高温存储、湿热、振动、老化
可靠性环境
25
失效分析
光学显微镜、SEM、FIB、失效模式分析
分析FIB
26
标准与规范
COBO、OSFP、QSFP-DD、IEEE标准
标准规范
27
量产与良率提升
SPC、缺陷密度、良率模型、工艺窗口优化
量产良率
28
成本控制
材料/工艺/测试/封装/全生命周期成本
成本经济
29
供应链管理
晶圆/封装厂选择、供应商管理、交期
供应链管理
30
未来趋势
异质集成、3D集成、片上激光器、AI设计自动化
前沿集成