01
光电子芯片概述
什么是光电子芯片？与传统电子芯片区别，主要应用领域：光通信、数据中心、激光雷达、生物传感等。
基础应用
02
流片工艺基础
流片定义与流程，光电子流片与CMOS异同，设计规则检查(DRC)与版图验证。
流程DRC
03
材料体系选择
硅基光电子(SOI)、III-V族(InP/GaAs)、铌酸锂薄膜、不同材料工艺兼容性分析。
材料SOIInP
04
光刻工艺参数优化
光刻胶选择(正/负胶)、曝光剂量与焦距、对准精度、分辨率增强(OPC/PSM)。
光刻分辨率
05
刻蚀工艺参数优化
干法(ICP-RIE)与湿法刻蚀选择、刻蚀速率与选择比、侧壁粗糙度控制、损伤修复。
刻蚀ICP
06
薄膜沉积工艺
PECVD/LPCVD/ALD对比、应力与膜厚均匀性、波导层与包层参数优化。
沉积PECVD
07
掺杂与扩散工艺
离子注入与热扩散、掺杂浓度/深度控制、激活退火、掺杂对光学损耗影响。
掺杂退火
08
波导制作工艺
条形/脊形波导参数、侧壁角度控制、波导损耗与工艺关系、MMI制作要点。
波导MMI
09
光栅耦合器工艺
均匀/聚焦光栅设计、刻蚀深度与占空比、耦合效率与工艺容差、偏振相关损耗。
光栅耦合
10
调制器工艺
MZM与微环调制器参数、载流子耗尽/注入型差异、调制效率与工艺关系。
调制器MZM
11
探测器工艺
GeSi外延、PIN与APD差异、暗电流/响应度优化、高速探测器寄生控制。
探测器GeSi
12
金属互连与电极工艺
欧姆接触、蒸镀/溅射、退火温度与接触电阻、高频电极设计要点。
金属电极
13
封装与测试工艺
光纤耦合封装、On-wafer测试、热管理(TEC)、可靠性测试(温度/湿度)。
封装测试
14
工艺容差分析
关键参数(CPV)识别、蒙特卡洛模拟、工艺角模型、良率与工艺窗口优化。
容差良率
15
设计-工艺协同优化(DTCO)
器件设计与工艺交互影响、工艺约束下性能优化、机器学习应用案例。
DTCO协同
16
工艺监控与在线检测
关键尺寸(CD)测量、膜厚/折射率监测、刻蚀终点检测(OES/干涉)、缺陷分类。
监控检测
17
良率提升策略
系统/随机缺陷分析、根因分析(RCA)、统计过程控制(SPC)、良率模型预测。
良率SPC
18
硅光平台工艺库
IMEC/AIM/Ligentec等对比、PDK使用要点、多项目晶圆(MPW)流片策略。
平台PDK
19
异质集成工艺
III-V与硅基键合、微转印技术、混合集成激光器、热管理挑战。
异质集成键合
20
先进光刻技术
DUV/EUV在光电子应用、纳米压印(NIL)、电子束光刻(EBL)原型验证。
光刻EUV
21
刻蚀损伤与修复技术
等离子体损伤机理、湿法化学修复、热退火修复、损伤量化评估。
损伤修复
22
波导损耗机理与优化
散射损耗与侧壁粗糙度、材料吸收、弯曲损耗、亚波长光栅波导工艺。
损耗波导
23
温度敏感性工艺优化
热光效应与工艺关系、无热化波导、微环温度稳定性、加热器集成。
温度热光
24
偏振控制工艺
偏振分束器(PBS)、偏振旋转器、偏振无关器件、工艺引入偏振串扰。
偏振PBS
25
高速调制器工艺优化
行波电极设计、载流子迁移率、RC时间常数、调制带宽与工艺映射。
高速调制
26
低损耗光纤耦合工艺
端面耦合器、光栅耦合器容差、模斑转换器(SSC)、对准公差与损耗。
耦合SSC
27
工艺可靠性评估
加速寿命测试(ALT)、FMEA、工艺相关可靠性模型、湿度/温度应力。
可靠性ALT
28
工艺成本优化
光刻层数与成本、工艺步骤精简、批量vs单片流片、芯片面积影响。
成本优化
29
工艺参数数据库建立
实验设计(DOE)、工艺-性能映射、数据库管理、数据驱动优化流程。
数据库DOE
30
未来工艺趋势
薄膜铌酸锂(TFLN)、氮化硅平台、量子光电子工艺、AI自动化优化。
前沿TFLN