01
半导体激光器概述
什么是半导体激光器、工作原理、主要应用领域（光通信、激光雷达、医疗美容）
基础应用
02
外延生长基础
衬底选择（GaAs、InP、GaN）、MOCVD与MBE技术对比、外延片质量评价
外延衬底
03
量子阱与有源区设计
量子阱原理、多量子阱结构、应变补偿技术、增益与载流子限制
有源区量子阱
04
光波导与模式控制
折射率引导、增益引导、脊形波导与掩埋异质结结构设计
波导模式
05
光刻工艺基础
光刻胶类型（正胶/负胶）、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜全流程
光刻工艺
06
光刻对准与套刻精度
对准标记设计、套刻误差来源、光刻机精度要求（i-line、KrF、ArF）
对准套刻
07
干法刻蚀工艺
ICP-RIE原理、刻蚀气体选择（Cl2/BCl3、CH4/H2）、刻蚀速率与选择比
刻蚀干法
08
湿法腐蚀工艺
各向同性/各向异性腐蚀、常用腐蚀液（H2SO4:H2O2、H3PO4:HCl）、腐蚀停止层
湿法腐蚀
09
介质膜沉积
PECVD与ICP-CVD沉积SiO2/SiNx、膜厚均匀性控制、应力管理
介质膜沉积
10
金属化与欧姆接触
P型/N型欧姆接触原理、金属叠层设计（Ti/Pt/Au、Ni/AuGe/Ni/Au）、退火工艺
金属化欧姆
11
光刻胶剥离与金属lift-off
负胶剥离工艺、金属沉积顺序、超声辅助剥离技巧
剥离lift-off
12
解理与腔面形成
自然解理面（<110>方向）、腔面镀膜（高反膜/增透膜）、腔长控制
解理腔面
13
腔面钝化与保护
腔面损伤机理、钝化层材料（ZnSe、Al2O3）、COMD抑制策略
钝化COMD
14
减薄与抛光
衬底减薄工艺、CMP抛光、表面粗糙度控制、翘曲管理
减薄CMP
15
划片与裂片
金刚石划片、激光隐形切割、裂片应力控制、芯片分离良率
划片裂片
16
芯片贴装与共晶焊接
AuSn共晶焊料、热沉材料选择（AlN、金刚石、CuW）、贴片精度控制
贴装共晶
17
引线键合
金丝球焊、楔焊、键合参数优化（超声功率、压力、温度）、拉力测试
键合引线
18
TO-CAN封装
TO管座结构、管帽与透镜耦合、气密封装、氦检漏
封装TO-CAN
19
蝶形封装与光纤耦合
蝶形管壳设计、TEC与热敏电阻集成、光纤阵列对准与耦合效率优化
蝶形耦合
20
老化与可靠性测试
加速老化试验、寿命外推（Arrhenius模型）、失效模式分析（FMEA）
可靠性老化
21
光谱特性测试
光谱仪原理、峰值波长、半高宽（FWHM）、边模抑制比（SMSR）测量
光谱测试
22
P-I-V特性测试
光功率-电流-电压曲线、阈值电流、斜率效率、串联电阻提取
P-I-V特性
23
近场与远场测试
近场光斑分布、远场发散角（水平/垂直）、光束质量因子M²
近场远场
24
偏振特性与消光比
TE/TM模式控制、偏振消光比测量、保偏光纤耦合
偏振消光比
25
高频特性与小信号调制
S参数测量、3dB带宽、弛豫振荡频率、寄生参数提取
高频小信号
26
大信号调制与眼图
眼图模板、消光比、上升/下降时间、抖动分析
眼图调制
27
线宽与噪声特性
洛伦兹线宽、频率噪声谱、相对强度噪声（RIN）、相干性控制
线宽噪声
28
温度特性与热管理
特征温度T0/T1、热阻测量、热电制冷器（TEC）控制环路设计
热管理TEC
29
失效分析技术
电致发光（EL）成像、光致发光（PL） mapping、OBIRCH、聚焦离子束（FIB）截面分析
失效分析FIB
30
制造工艺集成与良率提升
全流程工艺窗口控制、统计过程控制（SPC）、缺陷根源分析、良率模型
良率SPC