01
光波导技术概述
基本原理 · 硅基/氮化硅/聚合物 · 数据中心/AI算力/生物传感
材料体系应用领域
02
量产工艺全景图
设计→封装全流程 · Fabless/IDM · 工艺节点与代工厂
流程模式对比
03
光刻工艺基础
DUV/EUV选型 · 正胶/负胶 · 对准与套刻精度
光刻机光刻胶
04
刻蚀工艺详解
干法(ICP/RIE)与湿法 · 刻蚀速率/选择比 · 侧壁粗糙度
刻蚀形貌控制
05
薄膜沉积技术
PECVD/LPCVD/ALD · 应力与均匀性 · 膜厚监控
沉积应力控制
06
掺杂与扩散工艺
离子注入/热扩散 · 掺杂浓度/深度 · 激活退火
掺杂退火
07
化学机械抛光 (CMP)
CMP原理/耗材 · 平坦化要求 · 缺陷控制(划伤/腐蚀)
平坦化缺陷
08
晶圆键合技术
直接键合/等离子体活化/金属热压 · 强度与对准
键合对准
09
光栅耦合器制造
光栅设计 · 刻蚀对耦合效率影响 · 均匀性控制
耦合器效率
10
端面耦合器制造
端面抛光 · 模场匹配 · 抗反射涂层
端面模场
11
波导交叉与弯曲结构
弯曲损耗 · 工艺容差 · 多模干涉器(MMI)
弯曲MMI
12
调制器工艺
马赫-曾德尔/微环 · 电极制作(金属沉积/剥离)
调制器电极
13
探测器集成工艺
锗外延 · PIN结构 · 暗电流/响应度
探测器Ge
14
封装工艺基础
光纤阵列/透镜耦合 · 气密封装 · 热管理
封装耦合
15
良率定义与指标体系
晶圆/芯片/封装良率 · DPU/CPK
良率指标
16
缺陷分类与检测方法
光学检测(Brightfield/Darkfield) · 电子束检测 · 复检
检测缺陷
17
关键工艺参数监控 (APC)
膜厚/线宽/套刻/刻蚀深度 · SPC控制图
APCSPC
18
光刻工艺良率提升
热点修复 · OPC优化 · 光刻胶工艺窗口扩展
OPC工艺窗口
19
刻蚀工艺良率提升
刻蚀终点检测 · 侧壁钝化 · 微负载补偿
终点检测钝化
20
CMP工艺良率提升
压力分区 · 浆料流量优化 · 终点检测
CMP终点
21
键合工艺良率提升
表面预处理 · 温度曲线优化 · 空洞检测/消除
键合空洞
22
测试与筛选
晶圆级(WAT) · 芯片级(CP) · 老化/可靠性筛选
测试筛选
23
数据分析与良率建模
Poisson/Murphy模型 · DOE · 机器学习预测
建模ML
24
失效分析技术
光学显微镜/SEM/EDX · FIB/TEM · 根因定位
失效分析FIB
25
工艺转移与量产爬坡
研发→量产转移 · 爬坡曲线 · 产能/良率平衡
转移爬坡
26
成本控制与良率经济性
良率对成本影响 · 返工策略 · 报废管理
成本经济性
27
质量体系与认证
ISO 9001 · IATF 16949 · 车规级认证
质量认证
28
案例研究：400G/800G光模块
数据中心波导工艺良率提升实战
案例光模块
29
案例研究：激光雷达氮化硅波导
工艺开发与良率突破
激光雷达氮化硅
30
未来趋势
异质集成 · 3D光互连 · AI智能制造与良率优化
趋势AI