01
MicroLED概述
什么是MicroLED · MicroLED vs OLED vs LCD · 核心挑战
入门对比
02
外延基础
III-V族氮化物 · GaN/InGaN/AlGaN · 晶格常数与能带工程
材料能带
03
MOCVD设备原理
反应腔结构 · 前驱体与载气 · 生长模式与动力学
设备工艺
04
衬底技术
蓝宝石 · 硅 · GaN自支撑 · 成本权衡
衬底成本
05
缓冲层设计
低温GaN · AlN · 超晶格缓冲层 · 应力调控
应力缓冲
06
n型GaN层
Si掺杂 · 电子浓度与迁移率 · 厚度优化
掺杂n型
07
多量子阱有源区
InGaN/GaN MQW · 阱宽/势垒 · In组分 · 波长控制
有源区量子阱
08
p型GaN层
Mg掺杂 · p型激活 · 空穴浓度 · 接触优化
p型掺杂
09
电子阻挡层
AlGaN EBL · 能带偏移 · 阻挡效率 · 厚度/组分优化
EBL能带
10
应力管理
晶格失配 · 应变补偿 · 应力对发光效率的影响
应力晶格
11
缺陷控制
位错类型/密度 · 穿透位错 · V型坑 · 缺陷对效率影响
缺陷位错
12
发光效率
内量子效率 · 外量子效率 · 光提取效率 · droop效应
效率droop
13
波长均匀性
In组分均匀性 · 生长温度影响 · 反应器设计
均匀性波长
14
p-n结设计
同质结/异质结 · 能带图 · 载流子注入效率
p-n结能带
15
隧道结
隧道结原理 · p++/n++层 · 在MicroLED中的应用
隧道结重掺杂
16
超晶格结构
超晶格设计 · 应力调控 · 缺陷过滤 · 载流子输运
超晶格应力
17
量子点有源区
自组装量子点 · 尺寸控制 · 发光特性 · 与量子阱对比
量子点有源区
18
红光MicroLED外延
InGaN红光挑战 · AlGaInP方案 · 效率提升策略
红光效率
19
绿光MicroLED外延
绿光效率gap · 高In组分InGaN · 外延优化
绿光InGaN
20
蓝光MicroLED外延
成熟工艺 · 高晶体质量 · 蓝光效率优化
蓝光成熟
21
全彩化外延方案
RGB单片集成 · 量子点色转换 · 三色堆叠
全彩集成
22
外延片表征技术
PL谱 · XRD · AFM · TEM · Hall · 电致发光
表征测试
23
外延缺陷与良率
缺陷密度与良率 · 检测方法 · 良率提升策略
良率缺陷
24
外延生长模拟
CFD模拟 · 热场模拟 · 生长速率预测
模拟CFD
25
外延工艺窗口
温度窗口 · 压力窗口 · V/III比 · 生长速率窗口
工艺窗口
26
外延重复性
批次间重复性 · 反应器维护 · 工艺稳定性控制
重复性稳定性
27
外延成本优化
衬底成本 · 前驱体利用率 · 生长速率 · 产能提升
成本产能
28
芯片制程与外延协同
刻蚀损伤 · 侧壁钝化 · 外延与芯片工艺匹配
制程协同
29
先进外延结构
纳米柱LED · 微腔LED · 光子晶体 · 等离激元增强
先进纳米
30
产业趋势与展望
技术路线图 · 8/12英寸外延 · AI辅助外延生长
趋势AI