01
MicroLED技术概览：从显示革命到刻蚀挑战
全面了解MicroLED显示技术路线与刻蚀工艺的核心地位
基础概览
02
刻蚀工艺基础：干法刻蚀与湿法刻蚀的原理对比
干法/湿法刻蚀机理、选择比及各向异性分析
工艺对比
03
ICP刻蚀系统：电感耦合等离子体的工作原理
ICP高密度等离子体源、线圈设计与解耦偏压
设备等离子体
04
刻蚀气体化学：Cl₂/BCl₃/Ar混合气体的作用机制
卤素气体与惰性气体的协同刻蚀与钝化效应
气体化学
05
刻蚀速率控制：RF功率、腔体压力与气体流量的协同
关键工艺参数对刻蚀速率及均匀性的影响
调控参数
06
侧壁损伤机理：离子轰击与化学反应的耦合效应
高能离子导致晶格损伤及非辐射复合中心形成
损伤机理
07
侧壁保护层原理：原位沉积与聚合物生成的平衡
刻蚀过程中保护层的动态形成与消耗机制
保护沉积
08
O₂侧壁钝化技术：氧化层形成的工艺窗口
氧气流量、偏压与温度对氧化钝化的影响
钝化O₂
09
CHF₃/CF₄基钝化：氟碳聚合物保护层的沉积
氟碳气体解离、聚合物交联与侧壁覆盖
氟碳聚合物
10
侧壁倾斜角控制：刻蚀与沉积的竞争关系
通过调节沉积/刻蚀比实现垂直或倾斜侧壁
形貌角度
11
光刻胶灰化工艺：刻蚀后的有机残留去除
氧等离子体灰化参数及对侧壁的影响
清洗光刻胶
12
湿法清洗方案：酸/碱/有机溶剂的组合策略
去除刻蚀残留与金属污染，保护侧壁层
湿法清洗
13
原子层刻蚀(ALE)：数字式精确控制的优势
自限制反应、单层去除与原子级精度
ALE精确
14
侧壁粗糙度表征：AFM与SEM的测量方法
原子力显微镜与扫描电镜的粗糙度分析
表征粗糙度
15
量子效率退化：侧壁缺陷对发光性能的影响
非辐射复合、表面态与IQE下降机制
光学缺陷
16
漏电流机制：侧壁损伤导致的非辐射复合
Shockley-Read-Hall复合与漏电路径
电学漏电
17
台面结构设计：刻蚀深度与侧壁角度的优化
台面隔离、光提取效率与机械稳定性
设计台面
18
掩膜层选择：SiO₂/SiNₓ/金属硬掩膜的对比
刻蚀选择比、应力与去除难度分析
掩膜材料
19
刻蚀终点检测：OES与干涉法的实际应用
光学发射光谱与激光干涉实时监控
检测终点
20
刻蚀均匀性：晶圆级与芯片级的差异控制
宏观均匀性与微观负载效应
均匀性控制
21
侧壁修复技术：退火与化学处理的协同
热退火、湿化学修复及等离子体处理
修复退火
22
ALD侧壁包覆：原子层沉积的保形保护
Al₂O₃、SiO₂等薄膜的保形性与钝化效果
ALD包覆
23
等离子体诊断：Langmuir探针与质谱分析
离子密度、电子温度及活性基团检测
诊断等离子体
24
刻蚀损伤评估：PL谱与EL谱的联合表征
光致发光与电致发光谱评估侧壁质量
表征发光
25
工艺窗口定义：刻蚀速率与侧壁质量的权衡
多参数空间内寻找最优工艺区间
窗口优化
26
量产挑战：刻蚀设备的吞吐率与稳定性
腔体记忆效应、维护周期与产能
量产设备
27
缺陷控制：颗粒与微掩蔽效应的抑制
颗粒源、微掩蔽导致微沟槽与锥体
缺陷颗粒
28
GaN基MicroLED刻蚀：极性面与非极性面的差异
c面、m面、r面刻蚀速率与损伤差异
GaN极性
29
红光MicroLED刻蚀：InGaP/AlGaInP材料的特殊性
磷化物刻蚀化学、侧壁损伤与保护策略
红光磷化物
30
未来趋势：中性束刻蚀与低温刻蚀技术
低损伤、高各向异性的下一代刻蚀
前沿低温