MicroLED芯片衬底选择与生长调控
📚 共计 30 章节
01
衬底材料基础
蓝宝石、碳化硅、硅衬底的物理化学性质对比。
蓝宝石
碳化硅
硅
02
衬底选择标准
晶格匹配、热膨胀系数、导热性、成本与尺寸。
匹配
热导
成本
03
蓝宝石衬底
特点、应用场景、优缺点分析。
蓝宝石
透光
绝缘
04
碳化硅衬底
特点、应用场景、优缺点分析。
高导热
半绝缘
高端
05
硅衬底
特点、应用场景、优缺点分析。
大尺寸
低成本
集成
06
GaN自支撑衬底
HVPE法生长、激光剥离技术。
HVPE
激光剥离
同质
07
图形化衬底技术
PSS工艺、干法刻蚀与湿法刻蚀。
PSS
刻蚀
光提取
08
缓冲层技术
低温GaN缓冲层、AlN缓冲层、超晶格缓冲层。
缓冲层
AlN
超晶格
09
MOCVD生长原理
反应室结构、前驱体输运、热力学与动力学。
MOCVD
反应室
动力学
10
MOCVD生长参数
温度、压力、V/III比、生长速率调控。
温度
V/III
速率
11
GaN外延层生长
成核层、三维到二维生长模式转换。
成核
2D/3D
外延
12
InGaN/GaN多量子阱生长
阱层与垒层组分控制、界面质量。
MQW
InGaN
界面
13
p型掺杂与激活
Mg掺杂、热退火激活、氢钝化效应。
Mg
退火
氢钝化
14
n型掺杂
Si掺杂、载流子浓度调控。
Si
载流子
n型
15
应力调控
压应力与张应力、裂纹抑制、应力补偿层。
应力
裂纹
补偿
16
缺陷控制
位错密度降低、ELO横向外延过生长技术。
位错
ELO
横向过生长
17
同质外延与异质外延
衬底选择对缺陷密度的影响。
同质
异质
缺陷
18
衬底剥离技术
激光剥离、化学剥离、机械剥离。
激光剥离
化学
机械
19
衬底转移技术
键合、电镀、临时键合与解键合。
键合
电镀
临时键合
20
MicroLED芯片结构设计
垂直结构、倒装结构、正装结构。
垂直
倒装
正装
21
侧壁缺陷与漏电
ICP刻蚀损伤、侧壁钝化修复技术。
ICP
侧壁钝化
漏电
22
电流扩展与光提取
透明导电层、DBR反射镜、表面粗化。
TCL
DBR
粗化
23
红光MicroLED挑战
InGaN红光效率、AlInGaP材料集成。
红光
InGaN
AlInGaP
24
全彩化方案
RGB三色集成、量子点色转换、纳米柱技术。
RGB
量子点
纳米柱
25
巨量转移技术
弹性印章转移、激光转移、流体自组装。
弹性印章
激光转移
自组装
26
检测与修复
光电检测、缺陷定位、激光修复。
检测
缺陷定位
修复
27
可靠性问题
漏电机制、光衰、静电防护。
漏电
光衰
ESD
28
大尺寸衬底趋势
8英寸硅衬底、12英寸蓝宝石衬底。
8英寸
12英寸
大尺寸
29
成本分析
衬底成本、外延成本、芯片制造成本。
衬底成本
外延
制造成本
30
未来展望
MicroLED在AR/VR、大屏显示、车载显示的应用前景。
AR/VR
大屏
车载