01
GaN外延基础
GaN材料特性 · 外延生长方法概述 · MOCVD设备简介
基础MOCVD
02
衬底选择与预处理
蓝宝石/SiC/Si衬底对比 · 衬底清洗与退火工艺
衬底清洗
03
缓冲层设计
低温GaN缓冲层 · AlN缓冲层 · AlGaN缓冲层 · 超晶格缓冲层
缓冲层超晶格
04
成核层生长
成核层温度/压力/V/III比优化 · 成核层厚度控制
成核V/III
05
本征GaN层生长
生长温度 · 生长速率 · 反应室压力 · V/III比对晶体质量的影响
本征晶体质量
06
掺杂控制
n型掺杂(Si) · p型掺杂(Mg) · 掺杂效率与补偿效应
掺杂补偿
07
量子阱与势垒
InGaN/GaN量子阱 · AlGaN/GaN势垒 · 界面质量优化
量子阱界面
08
p型层激活
退火温度 · 退火时间 · 退火气氛对Mg激活的影响
p型退火
09
缺陷控制
位错密度 · 点缺陷 · 坑洞 · 裂纹的抑制策略
缺陷位错
10
应力管理
晶格失配应力 · 热应力 · 应力补偿层设计
应力补偿
11
温度均匀性
加热盘设计 · 温度校准 · 温度梯度对均匀性的影响
温度均匀性
12
气流场设计
喷淋头设计 · 载气流量 · 气体分布均匀性
气流喷淋头
13
反应室压力
低压与高压生长模式 · 压力对生长速率和掺杂的影响
压力模式
14
V/III比调优
TMGa/NH3比例 · 对表面形貌和晶体质量的影响
V/III形貌
15
生长速率控制
TMGa流量 · 生长速率与晶体质量的权衡
速率TMGa
16
原位监测
反射率监测 · 曲率监测 · 温度监测 · 厚度监测
原位监测
17
表面形貌优化
原子台阶流 · 表面粗糙度 · 丘状缺陷抑制
形貌台阶流
18
界面陡峭度
量子阱界面 · 异质结界面 · 插入层技术
界面陡峭
19
组分控制
In组分 · Al组分 · 组分均匀性 · 组分梯度
组分均匀性
20
厚度均匀性
旋转速度 · 气流分布 · 温度分布对厚度的影响
厚度均匀性
21
载气选择
H2与N2载气 · 对生长模式和掺杂的影响
载气H2/N2
22
前驱体管理
TMGa · TMAl · TMIn · NH3的纯度与输送
前驱体纯度
23
反应室清洁
原位清洁 · 干法清洁 · 湿法清洁 · 清洁频率
清洁维护
24
石墨基座维护
基座涂层 · 基座老化 · 基座更换周期
基座石墨
25
工艺重复性
工艺窗口 · 设备状态监控 · 统计过程控制(SPC)
重复性SPC
26
LED外延调优
多量子阱 · 电子阻挡层 · p型层 · 透明导电层
LEDMQW
27
HEMT外延调优
AlGaN/GaN异质结 · 2DEG浓度 · 栅极结构
HEMT2DEG
28
激光器外延调优
InGaN量子阱 · 波导层 · 包覆层 · 有源区
激光器波导
29
功率器件外延调优
缓冲层漏电 · 击穿电压 · 碳掺杂补偿
功率击穿
30
射频器件外延调优
高电阻缓冲层 · 薄势垒层 · 栅极漏电控制
射频漏电