01
GaAs与InP材料基础
半导体材料分类 · 晶体结构 · 能带特性 · 电子迁移率对比
材料科学能带
02
射频器件物理基础
载流子输运 · PN结 · 肖特基结 · 异质结原理
器件物理结
03
GaAs HEMT器件原理
高电子迁移率晶体管 · 2DEG形成 · I-V特性
HEMT2DEG
04
InP HBT器件原理
异质结双极晶体管 · 能带工程 · fT/fmax
HBT频率特性
05
GaAs与InP材料对比
衬底成本 · 工艺成熟度 · 高频/功率/热导率
对比选型
06
5G通信系统架构
频谱分配 · 基站架构 · 射频前端模块(RFFE)
5G系统
07
功率放大器(PA)设计基础
PA分类(A/B/C/D/E/F) · 效率/线性度 · 负载牵引
PA负载牵引
08
GaAs PA在5G中的应用
Sub-6GHz基站PA · Doherty架构 · 线性化技术
GaAs PADoherty
09
InP PA在5G中的应用
毫米波PA · E-band/W-band · 太赫兹前沿
InP PAmmWave
10
低噪声放大器(LNA)设计
噪声系数 · 增益 · 线性度 · GaAs vs InP LNA
LNA噪声
11
GaAs LNA在5G接收机中的应用
Sub-6GHz LNA实例 · 噪声匹配 · 稳定性分析
GaAs LNA接收机
12
InP LNA在毫米波接收机中的应用
D-band LNA · 超低噪声 · 宽带匹配
InP LNAD-band
13
射频开关与移相器
GaAs PIN/FET开关 · InP移相器设计
开关移相器
14
GaAs工艺技术
pHEMT · MESFET · MMIC流程 · PDK
工艺PDK
15
InP工艺技术
InP HBT/HEMT · 异质集成 · 背面通孔
InP工艺通孔
16
GaAs MMIC设计实例
X波段收发前端 · Ku波段功率合成
MMICX/Ku
17
InP MMIC设计实例
W波段接收机 · D波段发射机 · 太赫兹检测器
InP MMICTHz
18
GaAs与InP的异质集成
晶圆键合 · 异质外延 · 3D异构集成
异质集成3D
19
GaAs与InP的散热设计
热仿真 · 热沉 · 微通道冷却 · 金刚石衬底
散热热管理
20
GaAs与InP的可靠性
加速寿命 · 失效分析 · ESD防护
可靠性ESD
21
5G基站射频前端架构
MIMO · 波束赋形 · DPD · 包络跟踪(ET)
基站波束赋形
22
GaAs在5G手机中的应用
PAMiD · FEMiD · 天线调谐器
手机模组
23
InP在5G光通信中的应用
EAM · MZM · 光电探测器(PD)
光通信调制器
24
GaAs与InP的测试与表征
S参数 · 噪声参数 · 负载牵引 · 片上测试
测试表征
25
GaAs与InP的仿真工具
ADS · HFSS · CST · TCAD使用要点
仿真EDA
26
GaAs与InP的供应链与市场
Qorvo/Skyworks/II-VI · 产能 · 成本趋势
供应链市场
27
GaAs与InP的下一代演进
GaN-on-SiC竞争 · InP/GaAsSb · 二维材料
演进新材料
28
5G-Advanced与6G对材料的需求
太赫兹通信 · 感知一体化 · RIS
6GRIS
29
GaAs与InP的环保与回收
砷毒性 · 磷化铟回收 · 绿色制造
环保回收
30
综合案例：5G毫米波相控阵收发芯片
材料选择 → 系统集成全流程分析
相控阵全流程