01
功率半导体概览：从硅到碳化硅的演进之路
半导体材料迭代，SiC开启高功率时代
演进趋势
02
硅基功率器件基础：MOSFET与IGBT的工作原理与特性
经典硅器件结构、导通与开关机制
MOSFETIGBT
03
SiC材料特性：宽禁带、高临界场强、高热导率的核心优势
物理参数对比，SiC的底层竞争力
宽禁带热导率
04
SiC MOSFET与Si MOSFET的静态特性对比
导通电阻、击穿电压、阈值电压详细对比
静态Rds(on)
05
SiC MOSFET与Si IGBT的动态特性对比
开关速度、开关损耗、米勒平台分析
动态开关损耗
06
SiC肖特基二极管与Si快恢复二极管的对比
反向恢复电荷、开关损耗差异
二极管快恢复
07
热性能对比：热阻、结温能力、散热系统设计差异
热管理核心参数与系统设计
热阻结温
08
驱动电路设计差异：栅极电压要求、驱动功率、负压关断需求
SiC专用驱动与电平匹配
驱动负压
09
寄生参数影响：SiC器件对寄生电感和电容的敏感性分析
高频振荡、电压过冲与布局
寄生EMI
10
可靠性对比：栅氧可靠性、体二极管退化、宇宙射线失效
长期运行失效机理与评估
栅氧退化
11
成本分析：晶圆成本、封装成本、系统级成本权衡
从晶圆到系统TCO对比
成本晶圆
12
应用场景一：光伏逆变器中的器件选型策略
组串式/集中式逆变器优选方案
光伏逆变器
13
应用场景二：电动汽车牵引逆变器中的SiC与IGBT对决
主驱逆变器效率与功率密度
EV牵引
14
应用场景三：车载充电机(OBC)与DC-DC变换器选型
双向充电、高效DC-DC
OBCDC-DC
15
应用场景四：服务器电源与通信电源的高效化方案
数据中心PSU、48V总线
服务器通信电源
16
应用场景五：轨道交通与工业电机驱动的器件选择
牵引、变频器高可靠性需求
轨交工业
17
应用场景六：家用电器与消费电子中的低成本方案
空调、变频家电优选
家电消费
18
SiC器件选型参数解读：数据手册关键指标分析
读懂datasheet，提取设计参数
数据手册选型
19
并联均流设计：SiC MOSFET并联的挑战与解决方案
热耦合、栅极延迟、均流电感
并联均流
20
栅极驱动优化：针对SiC器件的驱动电阻与栅极回路设计
驱动强度、振铃抑制
驱动电阻栅极
21
缓冲吸收电路：SiC器件高频开关下的电压尖峰抑制
RCD、有源钳位、无损吸收
缓冲尖峰
22
PCB布局要点：SiC高频开关下的电磁兼容与布局艺术
功率回路、驱动回路、EMC
PCBEMC
23
热管理实战：从芯片结温到散热器的完整热路设计
热阻网络、散热器选型、仿真
热设计散热
24
SiC器件与硅基器件的混合使用：Hybrid方案的优势
SiC二极管+Si IGBT等组合
Hybrid混合
25
第三代半导体生态：国内外SiC产业链现状与趋势
衬底、外延、器件、应用全链
产业链生态
26
GaN器件简介：GaN与SiC的差异化竞争与互补
高频、中压 vs 高压、高可靠性
GaN竞争
27
仿真验证：利用SPICE模型进行SiC与Si器件的对比仿真
双脉冲仿真、损耗计算
SPICE仿真
28
实验测试：双脉冲测试方法及波形解读
测试平台搭建、关键波形分析
双脉冲测试
29
失效分析：SiC器件典型失效模式与根因分析
栅极失效、短路、热失控
失效FA
30
选型决策树：构建系统化的功率器件选型流程
从需求到最终选型的完整框架
决策树流程