01
化合物半导体材料概述
GaAs、InP、SiC、GaN等材料的特性对比与应用领域。
GaAsInPSiCGaN
02
衬底加工全流程概览
从晶体生长到最终抛光，整个工艺流程的宏观介绍。
流程宏观
03
晶体生长基础
LEC、VGF、PVT等主流生长方法及其对后续加工的影响。
LECVGFPVT
04
晶锭切割（Slicing）
内圆切割与线切割技术对比，切割损伤层控制。
内圆切割线切割损伤层
05
倒角与磨边（Edge Grinding）
边缘质量控制，防止碎片与裂纹。
边缘质量防裂纹
06
研磨（Lapping）技术
双面研磨与单面研磨，研磨液与磨料选择。
双面研磨单面研磨磨料
07
机械抛光（Mechanical Polishing）
抛光垫、抛光液、工艺参数对表面质量的影响。
抛光垫抛光液表面质量
08
化学机械抛光（CMP）原理
化学作用与机械作用的协同机制。
CMP协同机制
09
CMP抛光液化学
pH值、氧化剂、络合剂、表面活性剂的作用机理。
pH氧化剂络合剂
10
CMP抛光垫技术
硬垫与软垫的选择，修整（Conditioning）工艺。
硬垫软垫修整
11
CMP工艺参数优化
压力、转速、温度、流量对去除速率和均匀性的影响。
压力转速温度流量
12
表面缺陷检测技术
光学显微镜、AFM、SEM、XRD在衬底检测中的应用。
AFMSEMXRD
13
表面粗糙度与平整度
Ra、RMS、TTV、Bow、Warp等关键指标。
RaRMSTTVBow
14
清洗技术
RCA标准清洗、兆声清洗、刷洗在抛光后的应用。
RCA兆声清洗刷洗
15
化合物半导体特有的加工挑战
硬度、脆性、解理面对加工的影响。
硬度脆性解理面
16
GaAs衬底加工工艺
从生长到开盒即用（Epi-ready）的全流程。
GaAsEpi-ready
17
InP衬底加工工艺
针对磷化物易分解特性的特殊处理。
InP易分解
18
SiC衬底加工工艺
高硬度材料的研磨与抛光难点及解决方案。
SiC高硬度难点
19
GaN衬底加工工艺
自支撑GaN衬底的制备与抛光技术。
GaN自支撑
20
蓝宝石衬底加工
作为GaN外延常用衬底的加工要点。
蓝宝石GaN外延
21
损伤层去除技术
湿法腐蚀与干法刻蚀在去除亚表面损伤中的应用。
湿法腐蚀干法刻蚀
22
平坦化技术
全局平坦化与局部平坦化的平衡策略。
全局平坦化局部平坦化
23
边缘排除（Edge Exclusion）控制
边缘效应产生机理与改善方法。
边缘效应改善
24
批次一致性控制
统计过程控制（SPC）在抛光工艺中的应用。
SPC一致性
25
抛光环境控制
洁净室等级、温湿度、颗粒控制对良率的影响。
洁净室温湿度颗粒
26
抛光液供给与回收系统
循环过滤、浓度监测、废液处理。
循环过滤浓度监测废液
27
抛光设备介绍
主流CMP设备（如Applied Materials、Ebara）的结构与原理。
Applied MaterialsEbara
28
在线监测技术
终点检测、摩擦系数监测、温度监测在CMP中的应用。
终点检测摩擦系数温度监测
29
衬底加工成本分析
耗材成本、设备折旧、良率对成本的影响。
耗材折旧良率
30
未来发展趋势
绿色加工、智能化、大尺寸化对抛光技术的挑战与机遇。
绿色加工智能化大尺寸