01
半导体材料基础
能带理论、载流子类型、掺杂原理与材料分类
能带载流子掺杂
02
电阻率测试
四探针法原理、范德堡法、测试误差分析与校准
四探针范德堡校准
03
霍尔效应测试
霍尔系数、载流子浓度与迁移率计算、测试系统搭建
霍尔系数迁移率系统搭建
04
少数载流子寿命测试
光电导衰减法、表面复合影响、准稳态法
光电导表面复合准稳态
05
深能级瞬态谱 (DLTS)
原理、陷阱参数提取、典型应用案例
DLTS陷阱参数提取
06
电容-电压 (C-V) 测试
MOS结构C-V特性、掺杂浓度分布、界面态密度
C-VMOS界面态
07
电流-电压 (I-V) 测试
肖特基接触、欧姆接触、击穿电压与漏电流
肖特基欧姆接触击穿
08
光致发光 (PL) 光谱
辐射复合机制、带边发射与缺陷发光、温度依赖性
PL带边发射缺陷
09
拉曼光谱
声子模式、应力与晶格质量评估、空间分辨率与映射
声子应力映射
10
X射线衍射 (XRD)
布拉格定律、晶格常数、应变与位错密度
XRD晶格常数位错
11
扫描电子显微镜 (SEM)
二次电子与背散射电子成像、能谱分析 (EDS)
SEMEDS成像
12
透射电子显微镜 (TEM)
高分辨成像、选区电子衍射、缺陷分析
TEM衍射缺陷
13
原子力显微镜 (AFM)
表面形貌、粗糙度、电学模式 (C-AFM, KPFM)
AFM粗糙度KPFM
14
热导率测试
3ω法、激光闪光法、稳态法比较
3ω激光闪光稳态
15
热膨胀系数测试
热机械分析 (TMA)、光学干涉法
TMA热膨胀干涉
16
比热容与热扩散率
差示扫描量热法 (DSC)、激光闪光法原理
DSC热扩散比热容
17
介电常数与损耗
阻抗分析仪、频率与温度依赖性、Cole-Cole图
介电Cole-Cole阻抗
18
击穿场强测试
I-V击穿曲线、Weibull分布、时间相关介质击穿 (TDDB)
击穿WeibullTDDB
19
压电系数测试
准静态法、谐振-反谐振法、d33与k33测量
压电d33谐振
20
塞贝克系数与电导率
高温热电参数测试系统、Z值计算
塞贝克热电Z值
21
可靠性基础
失效物理、浴盆曲线、加速寿命试验 (ALT) 概念
浴盆曲线ALT失效物理
22
热载流子注入 (HCI) 效应
机理、测试方法、寿命模型
HCI热载流子寿命模型
23
负偏置温度不稳定性 (NBTI)
PMOS退化、反应-扩散模型、测试应力条件
NBTIPMOS反应-扩散
24
电迁移 (EM)
失效机制、MTF模型、加速因子与测试结构
电迁移MTF加速因子
25
应力迁移 (SM) 与热循环
金属化应力、Coffin-Manson模型
应力迁移热循环Coffin-Manson
26
湿度与腐蚀可靠性
HAST试验、偏置湿度测试、电化学腐蚀
HAST湿度腐蚀
27
静电放电 (ESD) 测试
HBM/CDM模型、TLP测试、防护设计验证
ESDHBMTLP
28
辐射效应
总剂量效应 (TID)、单粒子效应 (SEE)、位移损伤
TIDSEE位移损伤
29
加速寿命试验设计
Arrhenius模型、Eyring模型、样本量与置信度
ArrheniusEyring样本量
30
数据分析与寿命预测
Weibull分析、对数正态分布、可靠性框图 (RBD)
WeibullRBD寿命预测