01
宽禁带半导体概述
定义、材料体系（SiC、GaN、Ga₂O₃、金刚石等），宽禁带优势与应用前景。
基础材料
02
可靠性测试基础
失效物理、加速寿命试验(ALT)、HALT、MTBF、FIT等指标。
核心概念ALT
03
JEDEC标准体系
JESD22系列、JESD47、JEP122G等核心标准解读。
标准JEDEC
04
AEC-Q101标准
车规级分立半导体器件可靠性测试要求。
车规AEC
05
MIL-STD-750标准
美军标半导体器件测试方法。
军用标准
06
IEC 60747系列标准
半导体器件-分立器件和集成电路通用标准。
IEC国际
07
高温反偏测试 (HTRB)
测试原理、条件设置、失效判据。
HTRB高压
08
高温栅偏测试 (HTGB)
测试原理、条件设置、失效判据。
HTGB栅极
09
高温高湿反偏测试 (H3TRB)
测试原理、条件设置、失效判据。
H3TRB湿度
10
温度循环测试 (TC)
测试原理、条件设置、失效判据。
TC热循环
11
功率循环测试 (PC)
测试原理、条件设置、失效判据。
PC功率
12
静电放电测试 (ESD)
HBM、CDM、MM模型测试标准。
ESDHBM
13
闩锁效应测试 (Latch-up)
测试原理、条件设置、失效判据。
闩锁LU
14
辐射效应测试
总剂量(TID)、单粒子(SEE)、位移损伤(DD)。
辐射TID
15
SiC MOSFET可靠性
栅氧可靠性、体二极管退化、阈值电压漂移。
SiCMOSFET
16
GaN HEMT可靠性
电流崩塌、栅极漏电、动态导通电阻退化。
GaNHEMT
17
Ga₂O₃器件可靠性
材料缺陷、散热问题、界面态影响。
Ga₂O₃超宽禁带
18
金刚石器件可靠性
热管理、欧姆接触退化、击穿特性。
金刚石热
19
封装级可靠性
引线键合、烧结银、塑封分层可靠性。
封装分层
20
晶圆级可靠性
TDDB、HCI、NBTI/PBTI测试。
晶圆TDDB
21
可靠性测试样品选择
样本量计算、抽样方案、批次一致性。
统计抽样
22
测试夹具与设备
高温夹具、探针台、数据采集系统。
夹具设备
23
失效分析技术
SEM、TEM、XRD、PL、CL、EBSD等表征。
分析SEM
24
可靠性数据统计
威布尔分布、对数正态分布、阿伦尼乌斯模型。
统计威布尔
25
可靠性加速模型
阿伦尼乌斯、Coffin-Manson、Eyring模型。
加速模型
26
可靠性测试方案设计
测试矩阵、应力条件、时间规划。
设计矩阵
27
可靠性测试报告撰写
报告结构、数据分析、结论与建议。
报告文档
28
宽禁带器件可靠性挑战
材料缺陷、工艺波动、应用环境适应性。
挑战缺陷
29
可靠性发展趋势
AI辅助预测、数字孪生、在线监测。
AI数字孪生
30
综合案例：SiC MOSFET车规认证
SiC MOSFET车规级可靠性认证全流程解析。
案例车规认证