01
氮化镓技术概述
GaN vs Si vs SiC，GaN HEMT器件结构，GaN快充市场趋势。
器件对比趋势
02
快充协议基础
USB PD 3.1、PPS、QC 4.0+、华为SCP、VOOC协议解析。
协议PD快充
03
AC-DC拓扑选型
反激、LLC、有源钳位反激（ACF）对比，为什么GaN适合ACF。
拓扑ACFGaN
04
PFC电路设计
临界模式（CrM）PFC、交错式PFC、GaN在PFC中的应用。
PFCCrM交错
05
GaN驱动设计
驱动电压要求、米勒平台问题、负压关断、驱动环路布局。
驱动米勒布局
06
高频变压器设计
平面变压器、磁芯选择（PQ/ER/EI）、绕组结构、漏感控制。
变压器磁芯漏感
07
同步整流技术
SR控制器选型、Vds检测、死区时间优化、轻载效率。
SR死区效率
08
EMI与噪声抑制
共模/差模噪声、Y电容选择、屏蔽层设计、layout技巧。
EMI噪声Layout
09
热管理设计
GaN热阻、散热方案（PCB铜箔/铝基板/石墨烯）、热仿真。
热管理散热仿真
10
控制环路设计
Type II/III补偿、穿越频率、相位裕度、GaN高频环路稳定性。
环路补偿稳定性
11
PCB Layout实战
功率回路最小化、驱动回路、Kelvin连接、多层板叠层。
LayoutKelvin多层板
12
保护电路设计
OCP、OVP、OTP、SCP、NTC检测、输出放电。
保护OCPOTP
13
数字控制与MCU
STM32G0/DSP在快充中的应用、ADC采样、环路数字实现。
MCU数字控制ADC
14
GaN器件选型
耐压/Rds(on)/Qg/封装（DFN/TOLL/PQFN），供应商对比。
选型封装供应商
15
输入级设计
保险丝、NTC、X电容、共模电感、整流桥选型与计算。
输入保险丝整流桥
16
输出级设计
输出电容（MLCC/电解）、VBUS开关、放电电阻、C型口识别。
输出MLCCVBUS
17
辅助电源设计
高频辅助绕组、LDO/DC-DC、VCC供电、启动电路。
辅助电源LDO启动
18
协议芯片与握手
协议芯片选型（英集芯/智融/天德钰）、CC逻辑、E-Marker。
协议芯片CCE-Marker
19
多口输出策略
功率分配、动态降功率、独立/共享架构、热平衡。
多口功率分配热平衡
20
安规与认证
UL/CE/FCC/CCC、LVD、能效六级、CoC Tier2。
安规认证能效
21
DFM设计
PCB可制造性、元件封装选择、SMT工艺、波峰焊/回流焊。
DFMSMT工艺
22
测试与调试
效率测试、纹波噪声、动态响应、温升测试、环路分析。
测试纹波温升
23
可靠性验证
HALT、加速老化、高低温循环、跌落、ESD。
可靠性HALTESD
24
BOM成本优化
国产替代、物料归一化、批量采购策略、成本模型。
BOM国产替代成本
25
生产导入
试产流程、夹具设计、ATE测试、良率提升。
生产ATE良率
26
软件与固件
PD协议栈、固件升级（DFU）、参数校准、日志调试。
固件DFU调试
27
GaN失效分析
EOS、热失控、栅极击穿、退化机制、FA流程。
失效EOSFA
28
下一代技术
GaN IC（集成驱动）、GaN BTP、3D封装、高频化趋势。
GaN IC3D封装高频
29
案例实战：65W 1C
65W 1C GaN快充完整设计流程（原理图→Layout→样机→测试）。
实战65W1C
30
案例实战：140W 3C
140W 3C GaN快充设计（LLC+GaN+多口功率分配）。
实战140W3C