01
硅材料基础
硅的晶体结构 · 物理化学性质 · 半导体应用 · 纯度等级
晶体性质
02
多晶硅制备
西门子法原理/流程 · 流化床法 · 质量控制
西门子流化床
03
单晶硅生长基础
直拉法 · 热场设计 · 区熔法 · 参数控制
直拉区熔
04
直拉法生长工艺
装料熔料 · 引晶缩颈 · 放肩转肩 · 等径收尾
热场生长
05
单晶硅掺杂技术
掺杂原理 · 电阻率控制 · 径向/轴向均匀性
掺杂电阻率
06
晶体缺陷控制
点缺陷 · 位错 · 氧沉淀 · COP · 缺陷工程
缺陷COP
07
硅锭加工
外径研磨 · 定向标记 · 切片 · 倒角磨片 · 腐蚀
切片磨片
08
抛光工艺基础
抛光原理 · 抛光液/垫 · 单/双面抛光 · CMP
CMP平坦化
09
抛光工艺控制
去除率 · 平整度 · 粗糙度 · 金属污染 · 缺陷
控制缺陷
10
清洗技术
RCA清洗 · SC-1/SC-2 · 兆声/臭氧 · 干燥
RCA兆声
11
外延生长基础
外延原理 · 方法 · 质量要求 · 掺杂 · 缺陷
外延CVD
12
CVD外延工艺
反应器 · 参数控制 · 原位掺杂 · 选择性外延
CVD均匀性
13
SOI材料制备
SIMOX · Smart Cut · 键合减薄 · 质量评价
SOISmart Cut
14
晶圆几何参数
直径厚度 · TTV · 弯曲翘曲 · 平整度 · 纳米形貌
几何TTV
15
晶圆表面质量
颗粒 · 金属/有机物污染 · 微粗糙度 · 缺陷检测
表面污染
16
晶圆电学参数
四探针电阻率 · 扩展电阻 · PN结 · 载流子寿命
电学四探针
17
晶圆机械性能
断裂强度 · 硬度 · 弹性模量 · 热膨胀/导率
机械热学
18
检测技术基础
光学显微镜 · SEM · AFM · XRD · 红外光谱
检测显微镜
19
在线检测与控制
SPC · 控制图 · 过程能力 · FDC · R2R控制
SPCFDC
20
洁净室技术
洁净等级 · 气流 · 温湿度 · 静电 · 管理规范
洁净室静电
21
超纯水制备
预处理 · RO · EDI · 抛光混床 · 水质标准
超纯水EDI
22
化学品与气体
高纯化学品 · 电子特气 · 纯化 · 供应系统
特气安全
23
大直径晶圆技术
300mm/450mm · 热场 · 缺陷 · 加工设备
大直径300mm
24
特殊晶圆技术
重掺杂/高阻衬底 · 化合物 · GeSi · SOI
特殊衬底GeSi
25
晶圆成本控制
成本构成 · 良率 · 产能 · 材料/设备利用率
成本良率
26
质量体系
ISO 9001/14001 · QC080000 · IATF 16949 · 6σ
质量6σ
27
失效分析
颗粒/划伤/崩边/污染缺陷 · 工艺异常分析
失效缺陷
28
工艺集成
多晶硅→抛光片→外延片→SOI · 定制化平台
集成平台
29
行业标准
SEMI标准 · 晶圆规范 · 测试/包装/质量标准
SEMI标准
30
未来趋势
下一代衬底 · 先进制程 · 智能化 · 绿色制造
趋势衬底