01
磷化铟材料特性
InP的晶格结构、能带特性、高频与光电优势。
晶格能带高频
02
外延生长技术
MOCVD与MBE的原理对比、生长参数控制。
MOCVDMBE外延
03
光刻工艺
光刻胶选择、曝光剂量、对准标记制作。
光刻胶曝光对准
04
刻蚀工艺
干法刻蚀（ICP-RIE）与湿法刻蚀的工艺窗口。
ICP-RIE湿法刻蚀
05
金属化与欧姆接触
Ti/Pt/Au金属体系、退火条件优化。
Ti/Pt/Au退火欧姆
06
波导制作
脊形波导与掩埋异质结波导的工艺对比。
脊形掩埋异质波导
07
光栅制备
电子束光刻与全息光栅的精度控制。
电子束全息光栅
08
解理与腔面镀膜
解理角度控制、增透膜/高反膜设计。
解理增透膜高反膜
09
芯片测试
LIV曲线测试、光谱分析、近场/远场光斑。
LIV光谱光斑
10
可靠性评估
老化测试、温度循环、静电放电（ESD）防护。
老化温度循环ESD
11
晶圆键合
直接键合与等离子体活化键合技术。
直接键合等离子活化
12
衬底减薄与抛光
机械减薄与CMP工艺参数。
减薄CMP抛光
13
隔离沟槽制作
湿法腐蚀与干法刻蚀的隔离效果。
湿法干法隔离
14
再生长工艺
选择性外延与掩埋层生长。
选择性外延掩埋层
15
掺杂控制
Zn扩散与Si离子注入的掺杂分布。
Zn扩散Si注入
16
量子阱结构设计
应变量子阱的能带工程。
应变量子阱能带
17
调制器制作
电吸收调制器（EAM）与马赫-曾德尔调制器（MZM）。
EAMMZM
18
探测器制作
PIN与雪崩光电二极管（APD）工艺。
PINAPD
19
激光器制作
FP激光器、DFB激光器、VCSEL的工艺差异。
FPDFBVCSEL
20
无源器件集成
MMI耦合器、阵列波导光栅（AWG）的制作。
MMIAWG
21
光互连工艺
硅光与InP的混合集成技术。
硅光混合集成
22
封装工艺
TO封装、蝶形封装、COB封装的关键步骤。
TO蝶形COB
23
光纤耦合
透镜光纤与锥形波导的耦合效率优化。
透镜光纤锥形波导
24
热管理
微通道散热与热电制冷器（TEC）集成。
微通道TEC
25
高频电极设计
共面波导（CPW）与接地共面波导（GCPW）。
CPWGCPW
26
工艺监控
在线检测（OCD、反射率）与良率分析。
OCD反射率良率
27
洁净室规范
百级洁净室的操作流程与颗粒控制。
百级颗粒规范
28
化学品安全
InP工艺中使用的危险化学品处理。
危险品安全
29
失效分析
SEM、TEM、PL mapping在失效分析中的应用。
SEMTEMPL
30
未来趋势
InP on Silicon、薄膜InP器件、量子通信芯片。
InP on Si薄膜量子