01
外延生长基础
外延技术概述 · 外延层在器件中的作用 · 均匀性的重要性
基础概念
02
反应器设计原理
CVD反应器类型 · 热壁与冷壁反应器 · 气流动力学基础
反应器设计
03
温度场控制
加热方式对比 · 温度均匀性对厚度的影响 · 热电偶与红外测温
热管理测温
04
气流场优化
喷淋头设计 · 气体分布器 · 边界层控制
流体喷淋
05
衬底旋转技术
旋转速度与均匀性关系 · 多片式旋转架构 · 磁悬浮旋转
运动均匀性
06
前驱体输运
源瓶温度控制 · 载气流量配比 · 蒸汽压稳定性
输运前驱体
07
反应动力学
表面反应速率 · 质量输运限制 · 沉积速率模型
动力学模型
08
厚度监测技术
原位反射率监测 · 椭圆偏振法 · 干涉法
检测光学
09
反馈控制算法
PID控制基础 · 前馈补偿 · 模型预测控制
控制算法
10
统计过程控制
SPC原理 · 控制图应用 · Cp/Cpk指标
统计质量
11
均匀性表征方法
五点法 · 九点法 · 全片映射
表征计量
12
边缘效应抑制
边缘滚边设计 · 聚焦环 · 气流屏蔽
边缘工艺
13
多片式均匀性
晶圆间均匀性 · 批次间重复性 · 装载模式优化
批量重复性
14
温度补偿技术
多区加热器 · 动态功率分配 · 热辐射屏蔽
补偿加热
15
气流补偿技术
多区喷淋 · 独立质量流量控制 · 压差调节
气流MFC
16
机器学习应用
数据驱动建模 · 异常检测 · 虚拟计量
AI数据
17
工艺窗口开发
DOE设计 · 响应面法 · 工艺边界确定
DOE优化
18
腔室老化管理
腔室涂层退化 · 颗粒控制 · 定期维护策略
维护寿命
19
Si外延均匀性
硅烷/二氯硅烷体系 · 掺杂均匀性 · 埋层应用
Si掺杂
20
SiGe外延均匀性
锗组分控制 · 应变均匀性 · HBT器件应用
SiGeHBT
21
III-V族外延均匀性
MOCVD技术 · 量子阱均匀性 · VCSEL应用
III-VVCSEL
22
GaN外延均匀性
MOCVD生长 · 翘曲控制 · HEMT器件应用
GaNHEMT
23
氧化物外延均匀性
ALD技术 · 高k介质 · 界面质量
氧化物ALD
24
金属外延均匀性
CVD金属 · 阻挡层 · 接触电阻均匀性
金属接触
25
原位清洗技术
HCl气相清洗 · 热氢清洗 · 表面预处理
清洗表面
26
缺陷控制
位错密度 · 堆垛层错 · 表面粗糙度
缺陷质量
27
应力管理
热应力 · 晶格失配应力 · 翘曲补偿
应力翘曲
28
自动化与MES
Recipe管理 · 数据追溯 · APC系统集成
自动化MES
29
成本优化
前驱体利用率 · 产能提升 · 良率改善
成本良率
30
未来趋势
原子层外延 · 选区外延 · 3D集成外延
前沿ALE