01
外延生长概述
什么是外延生长 · 同质/异质外延 · 产业链位置
基础概念
02
衬底选择与准备
Si/GaAs/SiC/GaN · 取向偏角 · 清洗表面处理
衬底工艺前
03
MOCVD设备原理
反应腔·气体输运·加热 · 反应机理 · 选型要点
设备MOCVD
04
MBE设备原理
超高真空·源炉·RHEED · 生长机理 · 对比MOCVD
设备MBE
05
温度参数调优
表面形貌 · 温度窗口 · 均匀性控制
温度核心
06
压力参数调优
压力vs生长速率 · 气体扩散 · 低压/常压对比
压力流体
07
气体流量调优
III族/V族源流量 · V/III比优化策略
流量配比
08
生长速率控制
速率与温度 · 晶体质量 · 精确控制方法
速率动力学
09
缓冲层工艺
低温缓冲层 · 厚度/温度优化 · 界面质量
缓冲层界面
10
掺杂技术
n型(Si/Te) · p型(Mg/Be) · 浓度与电学特性
掺杂电学
11
量子阱与超晶格
阱宽/组分控制 · 界面陡峭度优化
量子阱能带
12
组分控制
AlGaAs/InGaAs · 组分均匀性 · 梯度结构
组分合金
13
厚度均匀性
旋转速度 · 气体分布 · 边缘补偿
均匀性工程
14
表面形貌控制
台阶流vs岛状 · 粗糙度 · 缺陷密度
形貌AFM
15
原位监测技术
RHEED · 光学反射率 · 温度监测
原位监测
16
外延缺陷分析
位错·层错·孪晶·点缺陷 · 抑制方法
缺陷TEM
17
X射线衍射表征
高分辨XRD · 摇摆曲线 · 应变/组分
XRD表征
18
光致发光表征
PL谱 · 发光效率 · 杂质/缺陷识别
PL光学
19
电学表征
霍尔效应 · CV测试 · 接触电阻率
电学霍尔
20
工艺重复性
影响因素 · SPC · 设备维护策略
重复性SPC
21
反应腔记忆效应
成因 · 清洗/预生长 · 交叉污染控制
记忆效应清洗
22
石墨基座与加热
基座材料 · 射频/电阻加热 · 温度校准
基座热场
23
气体纯度与纯化器
源纯度 · 在线纯化 · 管路设计
气体纯度
24
尾气处理系统
有毒气体处理 · 颗粒过滤 · 环保合规
尾气安全
25
GaN基外延工艺
GaN生长 · InGaN/GaN量子阱 · Mg激活
GaN氮化物
26
SiC外延工艺
同质外延 · 台阶控制 · 掺杂与缺陷
SiC碳化硅
27
III-V族异质结
GaAs/InGaAs · InP/InGaAsP · 晶格匹配/应变
异质结III-V
28
二维材料外延
石墨烯 · MoS₂ · hBN · CVD生长
2DCVD
29
工艺故障诊断
颗粒·裂纹·组分偏移 · 排查流程
故障排查
30
未来趋势
选区外延 · 数字合金 · 机器学习辅助
前沿AI