01
晶圆几何参数概述
定义、重要性、常见参数类型（TTV、Bow、Warp、Sori、Flatness）
基础概念
02
TTV（总厚度偏差）测量原理
TTV定义、测量方法（接触式与非接触式）、影响TTV的因素
测量厚度
03
TTV验收标准
不同工艺节点（成熟制程 vs 先进制程）的TTV规格要求、典型数值范围
规格制程
04
Bow（翘曲度）测量原理
Bow定义、测量方法（三点法、扫描法）、Bow的正负方向定义
翘曲方向
05
Bow验收标准
不同材料（硅、碳化硅、蓝宝石）的Bow规格、热应力对Bow的影响
材料热应力
06
Warp（扭曲度）测量原理
Warp定义、与Bow的区别、测量方法（多点扫描）
扭曲多点
07
Warp验收标准
Warp对光刻工艺的影响、典型Warp规格（<30μm、<50μm等）
光刻规格
08
Sori（整体翘曲）测量原理
Sori定义、Sori与Bow/Warp的关系、Sori的数学定义
整体翘曲数学
09
Sori验收标准
Sori在先进封装中的应用、Sori规格要求（<20μm）
封装先进
10
Flatness（平坦度）测量原理
Flatness定义、局部平坦度 vs 全局平坦度、测量网格密度
平坦度网格
11
Flatness验收标准
CMP工艺对Flatness的要求、不同光刻机对Flatness的规格
CMP光刻机
12
测量设备介绍
接触式探针台、激光干涉仪、电容传感器、白光干涉仪
设备干涉仪
13
接触式测量方法
探针压力对测量结果的影响、扫描路径规划、校准方法
接触校准
14
非接触式测量方法
激光三角法、干涉法、共聚焦法、优缺点对比
非接触光学
15
测量环境控制
温度对晶圆几何参数的影响、湿度控制、振动隔离
环境温湿度
16
测量重复性与再现性
GR&R分析、测量系统能力评估、Cp/Cpk计算
GR&RCp/Cpk
17
晶圆几何参数与工艺相关性
薄膜应力对Bow的影响、CMP对Flatness的影响、退火对Warp的影响
工艺应力
18
晶圆几何参数与光刻工艺
焦深（DOF）与Flatness的关系、套刻精度与Warp的关系
光刻DOF
19
晶圆几何参数与CMP工艺
CMP去除率均匀性对TTV的影响、CMP后清洗对表面质量的影响
CMP清洗
20
晶圆几何参数与薄膜沉积
PECVD、PVD、ALD工艺对晶圆应力的影响
薄膜PECVD
21
晶圆几何参数与退火工艺
快速热退火（RTA）对Warp的影响、炉管退火对Bow的影响
退火RTA
22
晶圆几何参数与键合工艺
晶圆键合对Sori的要求、键合后翘曲控制
键合Sori
23
晶圆几何参数与划片工艺
划片道对准与Warp的关系、划片应力对晶圆完整性的影响
划片应力
24
晶圆几何参数与检测工艺
检测设备对Flatness的要求、检测精度与晶圆变形的关系
检测精度
25
晶圆几何参数标准组织
SEMI标准、JEDEC标准、ISO标准、各标准差异对比
标准SEMI
26
晶圆几何参数测量不确定度
测量误差来源、不确定度评定方法、校准溯源
不确定度校准
27
晶圆几何参数数据分析
统计过程控制（SPC）、趋势分析、异常检测方法
SPC数据分析
28
晶圆几何参数与良率关系
几何参数偏离对芯片良率的影响、典型案例分析
良率案例
29
晶圆几何参数测量新技术
在线测量技术、机器学习在几何参数预测中的应用、AI辅助缺陷检测
AI在线
30
晶圆几何参数综合验收规范
不同应用场景（逻辑、存储、功率、MEMS）的验收标准汇总、制定验收规范的流程
规范MEMS