01
晶圆制造概论
半导体产业全景 · Fab组织架构 · PIE角色定位
全景整合
02
硅片制备与清洗
单晶硅生长 · 切片抛光 · RCA清洗 · 颗粒控制
清洗衬底
03
氧化工艺
干氧/湿氧 · 氧化炉操作 · 椭偏仪 · 缺陷
热氧化厚度
04
光刻工艺(上)
光刻胶类型 · 旋涂烘烤 · Stepper对准
涂胶曝光
05
光刻工艺(下)
显影坚膜 · Overlay控制 · CD测量
显影套刻
06
刻蚀工艺
干法(ICP/RIE) · 湿法 · 选择比 · 终点检测
等离子体形貌
07
薄膜沉积
PECVD · LPCVD · PVD · 台阶覆盖 · 应力
CVD溅射
08
离子注入与退火
剂量/能量 · 沟道效应 · RTP · 结深
掺杂退火
09
化学机械抛光(CMP)
抛光原理 · 研磨液 · 铜/STI CMP · 碟形缺陷
平坦化研磨
10
金属互连工艺
铝/铜互连 · Damascene · Ta/TaN · 电镀铜
互连阻挡层
11
关键工艺模块(一)
STI隔离 · 阱注入 · 阈值调整
隔离阱
12
关键工艺模块(二)
栅氧化层 · 多晶硅刻蚀 · 侧墙(Spacer)
栅极侧墙
13
关键工艺模块(三)
源漏注入 · 硅化物 · 接触孔刻蚀
S/DSilicide
14
关键工艺模块(四)
通孔(Via) · 金属层 · 钝化层 · Pad开窗
后端钝化
15
良率与缺陷管理
缺陷检测 · 良率模型 · Pareto · 提升方法论
良率检测
16
工艺控制与SPC
统计过程控制 · Cp/Cpk · 控制图 · FDC
SPCCp/Cpk
17
器件物理基础
MOSFET结构 · 阈值电压 · 饱和电流 · 亚阈值
器件物理
18
工艺与器件相关性
WAT参数 · Ion/Ioff · 器件匹配性
WAT匹配
19
TCAD仿真入门
Suprem/Medici · DOE设计
仿真TCAD
20
Mask设计与OPC
光罩层级 · OPC/PSM · Mask制作
光罩OPC
21
先进光刻技术
EUV · 多重图形化(LELE/SAQP) · 光刻胶趋势
EUV多重
22
先进栅极技术
HKMG · FinFET · GAA结构
HKMGFinFET
23
先进互连与低k介质
低k材料 · 超低k/气隙 · 铜阻挡层优化
低k互连
24
特殊工艺
MEMS · CIS图像传感器 · 功率器件
MEMSCIS
25
工艺整合案例(一)
0.18μm CMOS流程拆解
整合0.18μm
26
工艺整合案例(二)
28nm HKMG关键步骤与挑战
28nmHKMG
27
工艺整合案例(三)
3D NAND架构 · 高深宽比刻蚀
3D NAND深孔
28
FAB安全与EHS
化学品/气体安全 · ESD · 着装规范
安全EHS
29
设备原理与维护
刻蚀机腔室清洁 · CMP垫修整 · 光刻机透镜
设备维护
30
职业发展与认证
PIE技能树 · SEMI标准 · Fab Technician认证
职业认证