01
硅片翘曲概述
定义、影响与行业挑战
基础概念
02
应力基础理论
热应力、本征应力与机械应力
理论核心
03
硅片材料特性
晶体结构、各向异性与力学参数
材料各向异性
04
薄膜沉积应力
PECVD、LPCVD与PVD工艺对比
薄膜工艺
05
热预算与翘曲
退火工艺对硅片形变的影响
热退火
06
多层膜结构应力叠加
应力补偿与匹配策略
多层膜补偿
08
边缘效应与翘曲
边缘滚降与局部应力集中
边缘滚降
10
键合工艺应力
临时键合与永久键合技术
键合封装
11
应力测量技术
曲率法、XRD与拉曼光谱
测量表征
12
有限元仿真基础
ANSYS与COMSOL在翘曲分析中的应用
仿真FEA
13
工艺参数优化
温度、压力与气体流量对翘曲的影响
优化参数
14
光刻工艺中的翘曲控制
对准精度与焦深管理
光刻对准
15
刻蚀工艺应力
深硅刻蚀与应力诱导缺陷
刻蚀缺陷
16
CMP与应力释放
化学机械抛光中的应力管理
CMP平坦化
17
先进封装中的翘曲
2.5D/3D IC与扇出型封装
封装3D
18
硅通孔（TSV）应力
铜填充与热循环可靠性
TSV可靠性
19
MEMS中的应力控制
微机电系统应力挑战
MEMS微系统
20
化合物半导体异质集成
GaN/Si与SiC的应力挑战
化合物异质
21
应力工程与器件性能
载流子迁移率与能带调控
迁移率能带
22
在线监测与反馈控制
实时翘曲检测系统
监测反馈
23
翘曲标准与规范
SEMI标准与客户规格
标准SEMI
24
案例分析：12英寸晶圆翘曲
失效与根因分析
案例12寸
25
案例分析：3D NAND堆叠
应力管理实战
3D NAND堆叠
26
案例分析：SiC衬底翘曲
功率器件应力控制
SiC功率
27
新型材料与应力缓解
低应力氮化物与应力吸收层
新材料吸收层
28
未来趋势：EUV与纳米片
极紫外光刻与纳米片晶体管应力
EUV纳米片
29
成本效益分析
翘曲控制的经济性评估
成本经济
30
综合实战：全流程方案
从设计到量产的全流程翘曲控制
实战全流程