01
碳化硅材料概述
晶体结构·物化性质·与硅对比·功率器件优势
基础对比
02
碳化硅衬底分类
导电型/半绝缘·4H/6H晶型·规格标准
分类晶型
03
高纯碳化硅原料合成
纯度要求·Acheson/PVT原料·预处理
合成原料
04
物理气相传输法(PVT)原理
生长炉结构·热场·成核与生长机制
PVT核心
05
PVT法生长工艺参数控制
温度梯度·压力·速率·籽晶距离
工艺优化
06
籽晶制备与处理
切割·抛光·清洗·粘接固定
籽晶前道
07
晶体生长过程监控
界面观察·温度场·速率·缺陷原位检测
监控在线
08
碳化硅晶体退火处理
退火目的·温度时间·气氛·应力消除
退火后处理
09
晶体切割工艺
多线切割·切割液·参数·损伤层
切割加工
10
晶片研磨工艺
研磨原理·磨料·研磨盘·表面质量
研磨平坦化
11
晶片抛光工艺
机械/CMP对比·抛光液·垫·参数
抛光CMP
12
晶片清洗工艺
RCA标准·超声/兆声·旋转/IPA干燥
清洗干燥
13
晶片检测与表征
XRD·拉曼光谱·光学显微缺陷检测
检测表征
14
晶片缺陷分析
微管·位错·层错·包裹物·划痕
缺陷分析
15
晶片几何参数测量
厚度·TTV·Bow·Warp·粗糙度
几何计量
16
晶片电阻率测量
四探针·涡流·非接触·均匀性
电学电阻率
17
晶片表面平整度控制
平坦化·边缘倒角·SFQR优化
平整度精加工
18
晶片激光标记与追溯
激光打标·标记规范·追溯系统
标记追溯
19
晶片包装与运输
洁净包装·真空·防震·材料选择
包装物流
20
液相法生长碳化硅
液相原理·助熔剂·温度压力·对比PVT
液相法生长
21
高温化学气相沉积(HTCVD)
HTCVD原理·反应气体·速率·薄膜质量
HTCVD沉积
22
升华法生长碳化硅
升华原理·与PVT区别·条件·应用
升华法晶体
23
大尺寸衬底制备技术
6/8英寸挑战·扩径·热场优化
大尺寸工程
24
衬底加工过程中的应力控制
热/机械应力·检测·消除技术
应力控制
25
衬底表面金属污染控制
污染来源·清洗·TXRF/ICP-MS·洁净室
金属污染洁净
26
衬底批次一致性控制
参数标准化·在线反馈·SPC·良率
一致性SPC
27
碳化硅外延层制备基础
外延原理·衬底关系·缺陷类型
外延基础
28
化学气相沉积(CVD)外延生长
CVD系统·SiH4/C3H8·温度·掺杂
CVD外延
29
外延层质量表征
厚度·SIMS·KOH腐蚀·PL成像
表征外延
30
碳化硅衬底产业链与市场趋势
供应商·产能·成本·技术·市场
产业趋势