GaN器件可靠性测试与失效分析
📚 共计 30 章节
01
GaN器件基础
GaN材料特性 · HEMT结构 · 2DEG形成 · 功率优势
材料
物理
02
可靠性测试概述
失效浴盆曲线 · 加速寿命 · GaN特有失效
概念
总论
03
高温工作寿命(HTOL)
测试原理 · 偏置条件 · 判据与数据分析
HTOL
寿命
04
高温栅偏(HTGB)测试
正/负栅偏 · Vth漂移 · 测试流程
栅极
偏压
05
高温反偏(HTRB)测试
漏极应力 · 漏电流监测 · 失效模式
反偏
漏电
06
间歇工作寿命(IOL)
热循环 · 功率循环 · 结温波动
IOL
热应力
07
湿度敏感度(HAST)测试
高压蒸煮 · 偏置条件 · 封装可靠性
HAST
湿度
08
温度循环(TCT)测试
热机械应力 · 分层 · 键合线断裂
TCT
封装
09
ESD敏感度测试
HBM · CDM · GaN脆弱点 · 防护
ESD
静电
10
闩锁效应测试
闩锁机理 · 触发条件 · 抑制措施
闩锁
可靠性
11
栅极可靠性测试
栅极漏电 · 击穿 · TDDB测试
栅极
击穿
12
阈值电压稳定性
正/负偏Vth漂移 · 恢复效应
Vth
漂移
13
动态导通电阻退化
电流崩塌 · 陷阱能级 · 测试电路
Ron
退化
14
关态漏电失效
缓冲层漏电 · 表面漏电 · 温度依赖
漏电
关态
15
击穿电压测试
击穿机理 · 测试方法 · 边缘终止
击穿
电压
16
热阻测试
热阻定义 · 电学法/光学法 · 散热设计
热阻
热管理
17
结温测量
TSEP · 红外热成像 · 拉曼光谱
结温
测量
18
加速寿命模型
Arrhenius · Coffin-Manson · Eyring
模型
寿命
19
Weibull分布分析
失效概率 · 形状参数 · 寿命预测
Weibull
统计
20
失效分析流程
非破坏/半破坏/破坏分析 · 报告撰写
流程
方法论
21
光学显微镜(OM)分析
外观检查 · 裂纹 · 烧毁点定位
OM
光学
22
扫描电子显微镜(SEM)
二次电子 · 背散射 · EDX成分分析
SEM
形貌
23
聚焦离子束(FIB)分析
截面制备 · TEM样品 · 定点切割
FIB
制样
24
透射电子显微镜(TEM)
高分辨像 · 电子衍射 · 界面分析
TEM
原子级
25
X射线分析
X射线透视 · CT扫描 · 焊点检测
X-ray
无损
26
热成像分析
热点定位 · 热分布 · 瞬态热成像
热像
红外
27
光发射显微镜(EMMI)
发光机理 · InGaAs探测器 · 时间分辨
EMMI
光子
28
OBIRCH分析
激光热激发 · 电阻变化 · 短路定位
OBIRCH
漏电
29
GaN器件失效案例
栅极烧毁 · 漏电退化 · 热失控 · 封装
案例
实战
30
可靠性设计(DFR)
降额 · 冗余 · 热设计 · 工艺优化
DFR
设计