01
GaN材料基础
宽禁带特性、高电子迁移率与二维电子气(2DEG)形成原理
材料2DEG
02
GaN HEMT器件结构
AlGaN/GaN异质结、栅极工程、场板结构对高频性能的影响
HEMT场板
03
小信号等效电路模型
本征参数提取、寄生去嵌、S参数与增益特性分析
S参数建模
04
大信号建模与非线性特性
C-V特性、I-V特性、跨导压缩与谐波产生机制
非线性谐波
05
功率附加效率(PAE)优化
负载牵引技术、谐波调谐、波形工程在GaN PA中的应用
PAE负载牵引
06
热管理与自热效应
GaN器件热阻模型、结温估算、脉冲I-V测试与热设计
热阻自热
07
栅极驱动与偏置电路
栅极电压摆幅限制、静态工作点选择、有源偏置网络设计
偏置驱动
08
阻抗匹配网络设计
L/C匹配网络、微带线匹配、宽带匹配技术(分布式放大器)
匹配宽带
09
稳定性分析与改善
K因子、μ因子、RC稳定网络、中和电容技术
稳定性K因子
10
噪声特性与低噪声设计
最小噪声系数、噪声参数提取、GaN LNA设计实例
LNA噪声
11
功率放大器分类
A类、AB类、B类、C类、F类、逆F类、J类功放原理与对比
PAF类
12
Doherty功率放大器
有源负载调制原理、载波/峰值功放设计、效率回退特性
Doherty回退
13
包络跟踪(ET)技术
包络放大器设计、电源调制器、ET系统效率分析
ET包络
14
数字预失真(DPD)
非线性失真模型、记忆效应补偿、自适应DPD算法
DPD线性化
15
毫米波GaN器件
f_T/f_max优化、寄生效应、毫米波PA设计挑战
毫米波fmax
16
GaN MMIC设计流程
工艺设计套件(PDK)、电磁仿真、版图与寄生提取
MMICPDK
17
开关模式功放
E类、D类功放原理、GaN开关特性、高频开关PA设计
E类开关
18
宽带/超宽带放大器
分布式放大器、反馈放大器、非对称Doherty结构
超宽带分布式
19
高效率电源调制器
降压/升压变换器、多电平调制器、混合调制器
调制器电源
20
GaN器件的可靠性
陷阱效应、电流崩塌、栅极漏电、寿命评估方法
可靠性陷阱
21
射频测试与测量
矢量网络分析仪(VNA)校准、负载牵引系统、功率计使用
VNA测量
22
封装与互连技术
键合线模型、倒装芯片、封装寄生对高频性能的影响
封装寄生
23
GaN与LDMOS/SiGe对比
材料特性、性能指标、应用场景选择
LDMOSSiGe
24
5G通信中的GaN应用
Massive MIMO、毫米波基站、功率放大器需求
5GMIMO
25
雷达系统中的GaN
脉冲功放、相控阵T/R组件、高功率密度设计
雷达T/R
26
卫星通信与航天应用
抗辐射特性、空间级GaN器件、高效率行波管替代
航天抗辐射
27
电磁兼容(EMC)设计
谐波抑制、屏蔽接地、滤波器设计
EMC滤波
28
GaN驱动IC设计
电平移位、死区时间控制、过流保护
驱动IC保护
29
系统级热仿真
FloTHERM/Icepak使用、热阻网络模型、液冷/风冷方案
热仿真Icepak
30
未来趋势
GaN-on-Si、GaN-on-Diamond、垂直型GaN器件、太赫兹应用前景
未来太赫兹