01
功率半导体封装概述
MOSFET、IGBT、SiC、GaN分类 · 封装功能与挑战 · 技术演进路线
器件分类演进
02
封装材料基础
引线框架(Cu/Alloy42) · 塑封料EMC · 芯片贴装材料(焊料/烧结银/导电胶)
材料EMC
03
芯片贴装工艺
软钎焊 · 银烧结 · 共晶焊接 · 工艺参数对空洞率影响
贴装空洞
04
引线键合技术
铝线/铜线/银线键合 · 参数优化(功率/时间/压力)
键合参数
05
Clip 互联技术
Clip结构设计 · 材料选择 · 焊接工艺 · Clip vs Wire性能对比
Clip互联
06
DBC/AMB 基板技术
DBC/AMB制造工艺 · 基板可靠性评估 · 翘曲控制
基板DBC
07
塑封工艺详解
转移/压缩成型 · 模流分析 · 气孔与冲丝缺陷控制
塑封模流
08
功率模块封装结构
标准模块 · IPM · PIM · 双面散热 · 内部布局原则
模块布局
09
热管理基础
热阻网络 · 结温计算 · 散热器设计 · TIM选择
热管理TIM
10
热仿真与实测
FEM热仿真 · 热阻测试JESD51 · 红外热成像
仿真实测
11
功率循环与温度循环
功率/温度循环测试 · 失效模式(焊料疲劳/键合线脱落)
循环失效
12
可靠性测试体系
HTRB/HTGB/H3TRB/TC/PC · AQG324/JEDEC标准
可靠性标准
13
失效分析技术
SAM · X-ray · SEM/EDX · 微切片 · EMMI/OBIRCH
失效分析热点
14
SiC 封装挑战
高温材料要求 · 应力管理 · SiC模块特殊设计
SiC高温
15
GaN 封装技术
GaN器件特性 · 寄生参数控制 · 模块集成方案
GaN集成
16
双面散热封装
双面散热结构/工艺 · 模块可靠性
双面散热结构
17
烧结银技术深度
烧结机理 · 工艺窗口 · 可靠性 · 应用案例
烧结银工艺
18
铜互联技术
铜Clip · 铜烧结 · 铜线键合 · 防氧化策略
铜互联防氧化
19
封装寄生参数
寄生电感/电容来源 · 参数提取 · 低寄生设计
寄生电感
20
驱动与保护集成
栅极驱动 · 温度/电流检测 · 过流保护设计
驱动保护
21
高压隔离技术
爬电距离/电气间隙 · 绝缘材料 · 局部放电 · 高压设计
隔离高压
22
模块封装工艺线
工艺线布局 · 关键设备 · 工艺控制点 · MES系统
工艺线MES
23
先进封装技术
3D封装 · 嵌入式 · 扇出型 · Panel级封装
先进封装3D
24
车规级封装要求
AEC-Q101 · AQG324 · 车规测试 · PPAP
车规AQG324
25
工业级与消费级封装
等级差异 · 成本控制 · 可靠性折中方案
工业级消费级
26
封装设计仿真
电热耦合 · 应力 · 模流仿真 · 实验对标
仿真耦合
27
封装工艺缺陷与对策
空洞/分层/冲丝/裂纹/翘曲根因分析与改善
缺陷改善
28
功率模块测试技术
静态/动态参数 · 开关特性 · 短路测试
测试动态
29
封装成本分析
材料/工艺成本 · 良率提升 · 降本方案
成本良率
30
未来趋势与展望
SiC/GaN趋势 · 智能功率模块 · AI应用 · 绿色封装
趋势绿色