01
宽禁带半导体概述
什么是宽禁带半导体 · 与硅基对比 · 核心优势
高耐压高频高温
02
SiC与GaN材料特性对比
SiC · GaN · 优劣势对比分析
碳化硅氮化镓特性
03
宽禁带半导体产业链全景
衬底外延 · 器件设计 · 封装测试 · 系统应用
衬底制造封装
04
成本构成分析（上）
衬底成本 · 外延成本 · 晶圆制造成本
SiC衬底GaN-on-Si
05
成本构成分析（下）
封装成本 · 测试筛选 · 良率影响
TO封装模块良率
06
SiC MOSFET选型策略
电压等级 · Rds(on) · 栅极驱动
650V1200V1700V
07
SiC SBD肖特基二极管选型
反向耐压 · 浪涌电流 · 反向恢复 · 均流
肖特基浪涌
08
GaN HEMT选型策略
增强型/耗尽型 · 动态Rds(on) · 栅极驱动
HEMT动态导通
09
宽禁带器件驱动电路设计
驱动电压 · 驱动电流 · 寄生电感 · 负压关断
驱动IC栅极回路
10
热管理与散热设计
高热流密度 · 热阻模型 · 散热器 · 液冷/风冷
热设计液冷
11
开关损耗与效率优化
开关损耗 · 软开关ZVS/ZCS · 死区优化
ZVSZCS效率
12
电磁兼容（EMC）设计
高dv/dt · 共模/差模干扰 · EMI滤波器
EMC干扰滤波器
13
可靠性评估与寿命预测
HTGB · HTRB · 功率循环 · 宇宙射线
HTGBHTRB循环
14
成本控制策略（上）
规模化采购 · 多供应商 · 晶圆尺寸升级
6英寸8英寸
15
成本控制策略（下）
封装优化 · 测试降本 · 良率提升
分立模块缺陷管理
16
SiC与GaN在电源中的应用
服务器电源 · 通信电源 · 充电桩 · 光伏
PSU充电桩
17
SiC与GaN在电动汽车中的应用
主驱逆变器 · OBC · DC-DC · BMS
EVOBC逆变器
18
SiC与GaN在工业中的应用
电机驱动 · 感应加热 · 焊接 · UPS
工业电机UPS
19
宽禁带器件与硅器件混合设计
Si IGBT+SiC SBD · Si MOS+GaN HEMT
混合模块拓扑
20
拓扑结构对成本的影响
两电平 · 三电平NPC · 多电平 · LLC/CLLC
NPCANPC谐振
21
栅极驱动IC选型
隔离/非隔离 · 米勒钳位 · DESAT保护
驱动IC米勒DESAT
22
宽禁带器件封装技术
TO-247/263 · QFN/LGA · EasyPACK/HPD
TOLL贴片模块
23
寄生参数对性能的影响
栅极/功率寄生电感 · 共源电感 · 耦合电容
寄生电感共源
24
双脉冲测试（DPT）方法
测试原理 · 电路搭建 · 波形分析
DPT开通关断
25
宽禁带器件建模与仿真
SPICE · 行为模型 · 热模型 · LTspice/PLECS
仿真PLECSSimulink
26
供应链风险管理
衬底供应 · 产能扩张 · 地缘政治 · 替代供应商
供应链风险
27
总拥有成本（TCO）分析
初始成本 vs 系统级 · 电费节省 · 散热降低
TCO系统成本
28
宽禁带器件选型决策矩阵
性能/成本权重 · 综合评分 · 案例演示
评分模型决策
29
行业标准与认证
AEC-Q101 · JEDEC · UL · RoHS/REACH
车规认证
30
未来趋势与展望
8英寸SiC · GaN-on-Si · 成本下降曲线
趋势量产