01
GaN材料基础
晶体结构 · 能带特性 · 极化效应 · 晶格/热失配对比
自发极化压电极化衬底对比
02
MOCVD设备原理
反应腔结构 · 前驱体输运裂解 · 生长动力学
喷淋头TMGa质量输运
03
衬底选择与预处理
蓝宝石/SiC/Si(111) · 清洗氮化 · 图形化衬底PSS
PSS表面处理晶格匹配
04
成核层生长技术
低温GaN成核层 · AlN成核层 · 退火再结晶
LT-GaNAlN退火
05
缓冲层与应力调控
组分渐变AlGaN · 超晶格 · 插入层 · 裂纹抑制
应力释放超晶格裂纹
06
GaN本征层生长
温度/压力/V/III比 · 生长速率 · 原子台阶流
二维生长V/III表面形貌
07
n型掺杂技术
Si掺杂 · 掺杂效率 · 补偿效应 · 迁移率
Si掺杂补偿迁移率
08
p型掺杂技术
Mg掺杂 · H钝化 · 退火激活 · 电阻率优化
Mg激活p型
09
InGaN量子阱生长
In组分控制 · 相分离 · 阱厚与发光波长
InGaN量子阱组分均匀性
10
AlGaN势垒层与异质结
Al组分 · 界面质量 · 二维电子气(2DEG)
2DEG异质结AlGaN
11
GaN基LED外延结构
多量子阱 · 电子阻挡层 · p型层与透明导电层
MQWEBLLED
12
GaN基HEMT外延结构
AlGaN/GaN优化 · 沟道层 · 帽层与SiN钝化
HEMT2DEG钝化
13
VCSEL与激光器外延
DBR反射镜 · 应变补偿 · 光场模式调控
VCSELDBR光场
14
选区外延与横向过生长
SiO2掩膜 · 横向过生长 · 位错过滤
ELOLEO位错过滤
15
纳米柱/纳米线外延
自组装 · 选择性区域生长 · 径向/轴向异质
纳米柱SAG异质结构
16
极性控制与非极性/半极性GaN
Ga/N极性 · a面/m面 · 半极性r面
极性非极性半极性
17
原位监测技术
RHEED · 反射率 · 曲率监测 · 应力反馈
RHEED原位应力
18
外延缺陷与表征
位错类型 · 密度测量(XRD/CL/TEM) · 点缺陷
位错TEM深能级
19
X射线衍射(XRD)表征
ω-2θ · 摇摆曲线 · 倒易空间图谱 · 应变计算
XRDRSM组分
20
光致发光与阴极发光
带边发光 · 黄带 · 缺陷发光 · 载流子寿命
PLCL黄带
21
AFM与SEM表征
表面形貌 · 台阶高度 · 位错坑显示
AFMSEM位错坑
22
TLM与霍尔效应测量
接触电阻率 · 薄层电阻 · 迁移率/浓度
TLM霍尔迁移率
23
SIMS与XPS表征
杂质浓度 · 深度剖析 · 化学态分析
SIMSXPS深度剖析
24
GaN-on-Si技术
Si(111) · AlN/AlGaN缓冲层 · 应力/翘曲控制
Si(111)翘曲应力管理
25
GaN-on-SiC技术
SiC热导率 · AlN成核层 · 射频器件
SiC射频热管理
26
GaN-on-蓝宝石技术
PSS图形化 · LED芯片剥离 · 垂直结构
PSS剥离垂直LED
27
大尺寸衬底外延
6/8英寸GaN-on-Si · 均匀性 · 边缘补偿
大尺寸均匀性边缘效应
28
外延生长中的热管理
温度梯度 · 基座设计 · 热辐射与对流
热管理基座温度梯度
29
工艺重复性与良率提升
工艺窗口 · 在线监测 · SPC缺陷统计
良率SPC在线反馈
30
GaN外延前沿技术
MOCVD+MBE · 二维材料辅助 · 同质外延 · 量子点
前沿量子点同质外延