01
红外探测技术概述
红外辐射基本原理 · 探测器分类与发展 · FPA概念与核心指标
基础导论
02
FPA材料体系总览
MCT · QWIP · T2SL · a-Si · VOx 对比与选型逻辑
材料对比
03
碲镉汞（MCT）材料基础
HgCdTe能带结构 · 组分调控 · 相图与生长热力学
MCT能带
04
MCT体单晶生长技术
布里奇曼法 · 移动加热器法(THM) · 工艺详解
晶体生长
05
MCT液相外延（LPE）技术
水平滑舟法 · 垂直浸渍法 · 组分均匀性与缺陷
LPE外延
06
MCT气相外延（MBE/MOCVD）
MBE · MOCVD 设备原理与工艺参数优化
MBEMOCVD
07
MCT材料表征技术
XRD · 红外透射 · 霍尔效应 · EPD分析
表征测试
08
QWIP材料基础
GaAs/AlGaAs多量子阱 · 子带间跃迁 · 能带工程
QWIP量子阱
09
QWIP材料MBE生长工艺
GaAs衬底 · AlGaAs/GaAs生长 · 掺杂优化
MBE掺杂
10
QWIP表征与器件性能
光响应谱 · 暗电流 · 探测率D*测试
性能测试
11
二类超晶格（T2SL）材料基础
InAs/GaSb能带交错 · 截止波长调控
T2SL超晶格
12
T2SL材料MBE生长工艺
界面控制(InSb/GaAs-like) · 温度与V/III比
MBE界面
13
T2SL表征与器件性能
AFM · HRXRD卫星峰 · 光电性能评估
表征AFM
14
非晶硅（a-Si）微测辐射热计
PECVD制备 · TCR与1/f噪声优化
a-SiTCR
15
氧化钒（VOx）微测辐射热计
反应溅射 · TCR与电阻率调控
VOx溅射
16
微桥结构设计
悬空微桥 · 牺牲层释放 · 热绝缘与应力
微桥MEMS
17
读出电路（ROIC）与材料集成
ROIC设计 · 铟柱倒装焊 · 底部填充
ROIC集成
18
FPA芯片减薄与划片
机械研磨+CMP · 激光划片 · 隐形切割
工艺划片
19
光学薄膜与增透膜制备
Ge/ZnS多层膜 · 离子辅助沉积(IAD)
薄膜增透
20
真空封装与杜瓦技术
金属/玻璃杜瓦 · 吸气剂激活 · 冷指设计
封装真空
21
FPA性能测试与评价
NETD · 响应率 · NUC · 盲元率
测试评价
22
材料缺陷对FPA性能的影响
位错 · 点缺陷 · 组分不均匀 · 暗电流机制
缺陷可靠性
23
大面积FPA材料均匀性控制
MCT液相外延组分均匀 · MBE温度均匀性
均匀性大面积
24
高温工作（HOT）FPA材料
势垒型nBn/pBp · 材料设计与MBE生长
HOT势垒
25
短波红外（SWIR）FPA材料
InGaAs MOCVD · 晶格匹配与组分控制
SWIRInGaAs
26
MWIR与LWIR FPA材料对比
带隙 · 暗电流 · 工作温度差异
MWIRLWIR
27
新型低维FPA材料
量子点QDIP · 胶体量子点CQD制备与优势
低维量子点
28
柔性红外FPA材料
有机光电材料 · 柔性衬底沉积 · 弯折可靠性
柔性有机
29
安全与环保
II-VI/III-V毒性防护 · 尾气处理 · 绿色工艺
安全环保
30
未来趋势
AI辅助设计 · 数字孪生 · 大面积低成本制备
前沿展望