第1章
光通信有源器件概述
光通信系统架构 · 有源器件分类 · 材料选型的重要性
基础导论
第2章
半导体激光器材料基础
能带理论 · 直接带隙与间接带隙 · 发光效率
能带发光
第3章
InP基材料体系
InP衬底特性 · InGaAsP/InGaAlAs材料 · 应用场景
InP磷化铟
第4章
GaAs基材料体系
GaAs衬底特性 · AlGaAs/GaAs材料 · VCSEL应用
GaAsVCSEL
第5章
GaN基材料体系
GaN衬底特性 · InGaN/GaN材料 · 蓝光与紫外光应用
GaN蓝光
第6章
量子阱与量子点材料
能级量子化 · 增益特性 · 温度稳定性
量子阱量子点
第7章
激光器材料选型
FP激光器 · DFB激光器 · DBR激光器材料对比
选型激光器
第8章
调制器材料选型
电光效应 · 马赫-曾德尔调制器 · 电吸收调制器材料
调制器电光
第9章
光电探测器材料
PIN与APD结构 · 响应度 · 暗电流 · 材料选择
探测器PIN
第10章
硅基光电子材料
SOI平台 · 锗硅探测器 · 硅基调制器
硅光SOI
第11章
薄膜铌酸锂材料
TFLN特性 · 调制器应用 · 工艺挑战
TFLN铌酸锂
第12章
聚合物光电子材料
电光聚合物 · 热光聚合物 · 应用前景
聚合物有机
第13章
二维材料在光通信中的应用
石墨烯 · MoS₂ · 黑磷的光电特性
二维材料石墨烯
第14章
量子点激光器材料
InAs/GaAs量子点 · 高温度稳定性 · 低阈值电流
量子点低阈值
第15章
中红外激光器材料
锑化物材料 · 量子级联激光器 · 应用场景
中红外QCL
第16章
光放大器材料
EDFA掺铒光纤 · 半导体光放大器 · 拉曼放大器
放大器EDFA
第17章
探测器材料对比
Si · Ge · InGaAs · InSb · HgCdTe性能对比
对比探测器
第18章
材料外延生长技术
MBE · MOCVD · CBE原理与对比
外延MBE
第19章
材料表征技术
XRD · PL · AFM · TEM在材料评估中的应用
表征XRD
第20章
材料缺陷与可靠性
位错密度 · 暗线缺陷 · 寿命预测
缺陷可靠性
第21章
热管理材料
热沉材料 · 导热界面材料 · 热电冷却器
热管理散热
第22章
封装材料选型
光学胶 · 密封材料 · 光纤耦合材料
封装耦合
第23章
抗反射涂层材料
增透膜设计 · 材料选择 · 工艺实现
AR涂层增透
第24章
光波导材料
SiN · SiO₂ · 聚合物波导 · 铌酸锂波导
波导SiN
第25章
非线性光学材料
二阶非线性 · 三阶非线性 · 四波混频材料
非线性四波混频
第26章
集成光电子材料平台
硅光 · InP · TFLN · 混合集成
集成平台
第27章
材料成本与供应链
衬底成本 · 外延成本 · 国产替代
成本供应链
第28章
环境适应性材料
高低温 · 湿度 · 辐照环境下的材料选择
环境可靠性
第29章
未来材料趋势
钙钛矿 · 拓扑绝缘体 · 超表面材料
前沿趋势
第30章
综合选型案例
400G/800G光模块材料选型方案
案例高速