01
固态电解质概述
全固态电池背景 · 氧化物/硫化物/聚合物分类 · 薄膜化意义
背景分类
02
薄膜制备基础
真空技术 · 分子平均自由程 · 成核与生长模式
真空机理
03
磁控溅射原理
溅射现象 · 磁控结构 · 直流/射频 · 靶材选择
溅射靶材
04
磁控溅射工艺参数
功率 · 气压 · 基片温度 · 靶基距影响
工艺参数
05
磁控溅射制备LLZO薄膜
LLZO靶材 · 溅射优化 · 薄膜后处理
LLZO后处理
06
磁控溅射制备LATP薄膜
LATP靶材特性 · 参数调控 · 离子电导率优化
LATP电导率
07
脉冲激光沉积(PLD)原理
激光与物质 · 羽辉特性 · PLD系统组成
PLD羽辉
08
PLD制备氧化物电解质薄膜
LLZO/LATP的PLD工艺 · 衬底温度与氧压
氧化物PLD
09
PLD制备硫化物电解质薄膜
Li6PS5Cl/Li3PS4 · PLD挑战 · 组分控制
硫化物挑战
10
化学气相沉积(CVD)原理
CVD反应类型 · 前驱体选择 · ALD基础
CVDALD
11
CVD/ALD制备固态电解质薄膜
LLZO的ALD生长 · 硫化物CVD尝试
ALD尝试
12
溶胶-凝胶法原理
前驱体水解缩聚 · 溶胶-凝胶转变 · 旋涂/浸涂
溶胶凝胶涂覆
13
溶胶-凝胶法制备LLZO薄膜
前驱体配方 · 退火工艺 · 薄膜致密化
LLZO退火
14
溶胶-凝胶法制备LATP薄膜
溶胶稳定性 · 快速退火技术
LATP快速退火
15
电化学沉积法
电沉积原理 · 电解质电沉积 · 复合薄膜
电沉积复合
16
气相沉积与溶液法对比
成本 · 均匀性 · 结晶度 · 界面兼容性
对比界面
17
薄膜表征技术(上)
XRD · SEM · AFM
结构形貌
18
薄膜表征技术(下)
XPS · EIS · 直流极化法测离子电导率
价态阻抗
19
薄膜厚度与致密度控制
椭偏仪 · 台阶仪 · 密度计算与孔隙率
厚度致密
20
薄膜与电极的界面工程
界面反应 · 缓冲层设计 · 共烧结工艺
界面缓冲层
21
薄膜应力与附着力
热应力/本征应力 · 附着力测试方法
应力附着力
22
薄膜的结晶度调控
退火温度/时间 · 快速热退火(RTP)
结晶RTP
23
薄膜的离子电导率优化
掺杂策略 · 晶界工程 · 非晶态薄膜
掺杂晶界
24
薄膜的化学稳定性
空气稳定性 · 对锂稳定性 · 电化学窗口
稳定性窗口
25
大面积薄膜制备技术
卷对卷溅射 · 狭缝涂布 · 喷雾热解
大面积卷对卷
26
薄膜制备中的缺陷控制
针孔 · 裂纹 · 颗粒污染 · 均匀性改善
缺陷均匀性
27
薄膜在微型电池中的应用
3D结构薄膜电池 · MEMS集成
微型电池MEMS
28
薄膜在传感器与光电器件中的应用
电致变色 · 气体传感器
传感器光电器件
29
固态电解质薄膜的产业化现状
国内外企业进展 · 成本分析 · 量产挑战
产业化量产
30
未来展望与前沿技术
超薄薄膜(<1μm) · 异质结 · 机器学习辅助工艺
前沿机器学习