01
氮化硅陶瓷概述
定义、发展历史、基本特性（高硬度、耐高温、抗热震性）及应用领域（轴承、刀具、航空航天）。
基础应用
02
氮化硅晶体结构
α相与β相的晶体结构差异、相变机制、晶型对性能的影响。
晶体学相变
03
原料选择与预处理
Si₃N₄粉体制备方法（直接氮化法、碳热还原法、硅亚胺法）、纯度、粒径、比表面积要求。
粉体预处理
04
烧结助剂体系设计
常见助剂（Y₂O₃、Al₂O₃、MgO、稀土氧化物）作用机理、配比原则、液相烧结理论。
助剂液相烧结
05
配方设计原则
组分比例计算、相图分析（Si₃N₄-Y₂O₃-Al₂O₃三元相图）、配方优化策略。
相图优化
06
混料与球磨工艺
球磨介质选择（Si₃N₄球、Al₂O₃球）、参数（转速、时间、料球比）、湿法/干法对比。
混料球磨
07
造粒工艺
喷雾造粒原理、粘结剂（PVA、PEG）选择、参数控制、颗粒流动性评价。
造粒流动性
08
成型工艺（一）：干压成型
模具设计、压力参数、保压时间、常见缺陷（分层、裂纹）。
干压模具
09
成型工艺（二）：等静压成型
冷等静压（CIP）原理、包套设计、压力介质选择。
CIP等静压
10
成型工艺（三）：注浆与流延成型
浆料流变性、固含量、分散剂选择、脱脂工艺。
注浆流延
11
成型工艺（四）：注射成型
喂料制备、注射参数、模具设计、脱脂与烧结一体化。
注射一体化
12
素坯干燥与排胶
干燥制度（温度、湿度、时间）、排胶曲线设计、气氛控制。
干燥排胶
13
烧结工艺基础
烧结驱动力、扩散机制、致密化过程、晶粒生长控制。
烧结扩散
14
无压烧结
工艺参数（温度、升温速率、保温时间）、气氛选择（N₂压力）、典型烧结曲线。
无压N₂
15
气压烧结（GPS）
原理、气压范围（1-10 MPa）、设备要求、与无压烧结对比。
GPS高压
16
热压烧结（HP）
单向/双向加压、模具材料（石墨）、温度与压力耦合控制。
热压石墨模具
17
热等静压烧结（HIP）
原理、包套设计、工艺参数（温度、压力、时间）、性能优势。
HIP包套
18
放电等离子烧结（SPS）
原理、脉冲电流作用、快速致密化机制、微观结构控制。
SPS快速
19
烧结后处理
热等静压后处理、退火处理、表面加工（研磨、抛光）。
后处理加工
20
微观结构表征
XRD（物相）、SEM（断口/晶粒）、TEM（晶界相）、密度与气孔率。
表征XRDSEM
21
力学性能测试
硬度（维氏、洛氏）、断裂韧性（SENB、压痕法）、抗弯强度、Weibull模量。
力学韧性
22
热学性能测试
热导率（激光闪射法）、热膨胀系数（TMA）、抗热震性（水淬法）。
热学热震
23
抗氧化性能
氧化动力学、氧化层结构、抗氧化添加剂（SiC、MoSi₂）作用。
抗氧化添加剂
24
氮化硅陶瓷刀具
配方设计要点、微观结构要求（自增韧）、切削性能评价。
刀具自增韧
25
氮化硅陶瓷轴承
材料要求（高可靠性、长寿命）、滚动接触疲劳、表面改性技术。
轴承疲劳
26
航空航天应用
透波材料（天线罩）、耐高温结构件、轻量化优势。
航空透波
27
半导体设备应用
静电卡盘、刻蚀环、高纯要求与污染控制。
半导体高纯
28
缺陷分析与质量控制
常见缺陷（气孔、裂纹、晶粒异常长大）、无损检测（超声、X射线）、过程控制。
缺陷无损检测
29
配方与工艺优化案例
从实验室到中试放大——典型氮化硅轴承球配方的开发历程。
案例中试
30
前沿技术与发展趋势
纳米氮化硅、3D打印成型、机器学习辅助配方设计、低成本制备技术。
前沿3D打印ML