01
介电陶瓷概述
什么是介电陶瓷、低损耗的意义、应用领域（微波通信、滤波器、谐振器）
基础应用
02
介电损耗机理
本征损耗（晶格振动）、非本征损耗（缺陷、晶界、气孔）、损耗因子tanδ
机理核心
03
关键性能参数
介电常数εr、品质因数Q×f、谐振频率温度系数τf，三者之间的制约关系
参数设计
04
配方设计总纲
从应用需求反推配方、设计流程、常见体系（钛酸盐、锆酸盐、钽酸盐）
框架体系
05
BaTiO₃基陶瓷
经典铁电体、居里点调控、掺杂改性（Ca、Sr、Zr）对损耗的影响
铁电掺杂
06
(Mg,Ca)TiO₃体系
高Q值、低损耗、温度稳定性、A位与B位取代策略
高Q钛酸盐
07
Ba(Zn₁/₃Ta₂/₃)O₃复合钙钛矿
有序-无序转变、B位有序度与Q值的关系、退火工艺
有序钙钛矿
08
Ba(Mg₁/₃Ta₂/₃)O₃体系
与BZT对比、Mg取代Zn的优势、烧结助剂选择
对比烧结
09
(Zr,Sn)TiO₄体系
零温度系数、高Q值、Zr/Sn比例优化、烧结温度窗口
零τf高Q
10
低损耗玻璃陶瓷
玻璃相的作用、晶化控制、典型体系（CaO-B₂O₃-SiO₂）
玻璃晶化
11
掺杂剂选择原则
受主掺杂（Mn、Co）、施主掺杂（Nb、Ta）、电荷补偿机制
掺杂电荷
12
烧结助剂设计
低熔点氧化物（CuO、B₂O₃、Li₂O）、液相烧结、致密度与损耗的平衡
助剂致密化
13
晶粒尺寸调控
细晶强化、晶界效应、纳米粉体对损耗的影响
微结构晶界
14
第二相控制
有害相识别、有益相引入（如TiO₂、ZrO₂）、相图分析
相图第二相
15
缺陷化学基础
氧空位、阳离子空位、电子缺陷、缺陷缔合对损耗的影响
缺陷化学
16
烧结气氛控制
氧分压、还原气氛、氧化退火、缺陷浓度调控
气氛退火
17
工艺参数优化
球磨时间、预烧温度、成型压力、烧结曲线（升温速率、保温时间、降温速率）
工艺参数
18
介电性能测试方法
谐振腔法、平行板电容法、网络分析仪使用、误差分析
测试仪器
19
微观结构表征
SEM、TEM、XRD、Raman光谱在配方优化中的应用
表征分析
20
机器学习辅助配方设计
数据驱动、特征工程、回归模型预测Q值
AI数据
21
高Q值配方案例1
Ba(Mg₁/₃Nb₂/₃)O₃体系优化、掺杂Mn的效应
案例Mn掺杂
22
高Q值配方案例2
CaTiO₃-NdAlO₃固溶体、A位空位设计
案例固溶体
23
温度稳定型配方
τf近零设计、复合相补偿、固溶体调谐
温度稳定τf
24
超低损耗配方
单晶化趋势、晶界工程、热等静压（HIP）后处理
超低损耗HIP
25
MLCC用介质
薄层化、共烧匹配、Ni电极兼容性
MLCC电极
26
微波介质谐振器设计
TE₀₁δ模、介电常数与尺寸关系、Q值对带宽的影响
谐振器微波
27
滤波器用介质陶瓷
带通滤波器、双工器、温度补偿设计
滤波器双工器
28
配方开发中的常见问题
Q值异常下降、τf漂移、烧结开裂、重复性差
故障解决
29
配方优化实验设计
正交实验、响应面法、田口方法、DOE实战
DOE统计
30
未来趋势
低温共烧陶瓷（LTCC）、毫米波介质、无铅化、AI闭环优化
LTCC前沿