01
铁电存储器概述
FeRAM基本概念 · 发展历史 · 与传统存储器对比 · 应用与市场前景
概念对比市场
02
铁电材料基础
钙钛矿结构 · PZT/SBT特性 · 铁电回线与极化翻转机制
PZTSBT极化
03
FeRAM单元结构
1T1C · 2T2C · 电容与晶体管集成 · 单元尺寸缩放挑战
1T1C2T2C集成
04
FeRAM制造工艺流程概览
衬底到封装完整流程 · 关键工艺节点 · 工艺集成策略
流程集成节点
05
衬底准备与清洗
硅衬底规格 · RCA清洗 · 颗粒控制 · 表面粗糙度与检测
RCA清洗衬底
06
晶体管制造（前段工艺）
CMOS基础 · 栅氧化层 · 多晶硅栅极 · 源漏注入与退火
CMOS栅极注入
07
铁电电容下电极制备
Pt/IrO₂电极 · PVD工艺 · 厚度应力控制 · 粘附层技术
PtPVD应力
08
铁电薄膜沉积（溶胶-凝胶法）
前驱体配制 · 旋涂参数 · 热解与RTP · 厚度均匀性
溶胶凝胶旋涂RTP
09
铁电薄膜沉积（磁控溅射法）
溅射靶材 · 功率气压优化 · 原位加热结晶 · 成分取向调控
溅射结晶取向
10
铁电薄膜沉积（MOCVD/ALD）
金属有机源 · 沉积温度窗口 · 台阶覆盖 · 大面积均匀性
MOCVDALD台阶覆盖
11
铁电薄膜结晶退火
RTA工艺 · 氧气气氛 · 升温速率 · 晶粒尺寸与取向
RTA退火晶粒
12
铁电电容上电极制备
Pt/IrO₂/Al电极 · 光刻对准 · 干法刻蚀 · 侧壁损伤修复
上电极光刻刻蚀
13
铁电电容刻蚀工艺
ICP刻蚀 · 气体化学 · 刻蚀速率与选择比 · 损伤修复
ICP选择比修复
14
氢阻挡层沉积
氢致退化机理 · Al₂O₃/SiNₓ阻挡层 · ALD工艺 · 厚度优化
阻挡层ALD氢损伤
15
层间介质沉积与平坦化
HDP CVD · CMP工艺 · 平坦度控制 · CMP后清洗
ILDCMP平坦化
16
接触孔光刻与刻蚀
光刻对准 · 高深宽比刻蚀 · 刻蚀停止层 · 侧壁光滑度
接触孔深宽比刻蚀
17
金属互连（后段工艺）
钨塞填充 · Cu/Al布线 · 双大马士革 · 电迁移可靠性
互连大马士革电迁移
18
钝化层与合金工艺
SiNₓ/SiO₂钝化 · 合金退火 · 氢钝化 · 应力调控
钝化合金应力
19
晶圆测试（CP测试）
探针卡设计 · 极化测试 · 存储单元功能测试 · 良率分析
CP测试探针卡良率
20
划片与分选
激光/刀片划片 · 崩边控制 · 贴膜扩张 · 分选策略
划片崩边分选
21
封装工艺（引线键合）
引线键合原理 · 金/铜线选择 · 参数优化 · 拉力/剪切测试
引线键合金线拉力
22
封装工艺（倒装焊与WLCSP）
凸点制备 · 底部填充胶 · 晶圆级封装 · 热机械应力
倒装焊WLCSP应力
23
封装后测试（FT测试）
测试向量 · 温度循环 · 保持力 · 耐久性测试
FT温度循环耐久
24
可靠性评估（加速老化）
Arrhenius模型 · 电压加速 · 湿度敏感度 · 早期失效筛选
加速老化Arrhenius筛选
25
失效分析技术
FIB制样 · TEM分析 · XPS · 电性失效定位（EELS）
FIBTEMXPS
26
良率提升方法论
SPC · 缺陷密度监控 · 帕累托分析 · DOE工艺优化
SPCDOE良率
27
工艺集成挑战与解决方案
热预算 · 界面工程 · 氢损伤抑制 · 刻蚀损伤修复
热预算界面氢损伤
28
量产质量控制
在线监测 · 批次一致性 · 环境控制 · 设备预防维护
质量控制洁净室一致性
29
FeRAM技术发展趋势
3D FeRAM · 铪基FeFET · 柔性FeRAM · 嵌入式FeRAM
3DFeFET嵌入式
30
课程总结与项目实战
搭建FeRAM工艺仿真 · 参数敏感性分析 · 量产工艺文件编制
仿真敏感性文件编制