01
异质结概述
什么是二维材料异质结 · 垂直/横向分类 · 能带工程意义
基础能带
02
实验安全与规范
超净间准入 · SDS解读 · 紧急处理流程
安全规范
03
衬底选择与预处理
SiO₂/Si标准 · 氧等离子体清洗 · 高温退火去水氧
衬底清洗
04
机械剥离法基础
HOPG选择 · 蓝膜胶带技巧 · 剥离参数优化
剥离HOPG
05
干法转移技术
PDMS/PC薄膜 · 显微操作台 · 对准贴合
干法转移
06
湿法转移技术
PMMA辅助 · 去离子水浴 · KOH腐蚀牺牲层
湿法PMMA
07
范德华堆叠工艺
逐层堆叠 · 转角控制 · 退火增强耦合
堆叠转角
08
化学气相沉积 (CVD) 生长
CVD系统搭建 · 前驱体选择 · 生长参数调控
CVD生长
09
金属有机化学气相沉积 (MOCVD)
MOCVD原理 · 源瓶管理 · 外延控制
MOCVD外延
10
分子束外延 (MBE)
超高真空 · 束源炉 · RHEED监测
MBE外延
11
选区外延生长
掩模版设计 · 光刻图案化 · 选择性生长
选区光刻
12
转移过程中的污染控制
有机残留去除 · AFM表征 · 退火清洁
污染AFM
13
异质结界面工程
界面态调控 · 插层技术 · 缓冲层引入
界面工程
14
转角异质结制备
干法转角堆叠 · 湿法对准 · 莫尔超晶格
转角莫尔
15
一维/二维异质结
碳纳米管复合 · 纳米线异质结 · 接触优化
1D/2D纳米线
16
二维/三维异质结
钙钛矿复合 · 硅基集成 · 能带匹配
2D/3D钙钛矿
17
异质结器件制备流程
光刻工艺 · 电极蒸镀 · 沟道刻蚀
器件光刻
18
拉曼光谱表征
峰位分析 · 层数判定 · 应力与掺杂
拉曼表征
19
光致发光 (PL) 表征
峰位强度 · 激子寿命 · 量子效率
PL发光
20
扫描电子显微镜 (SEM) 表征
二次电子成像 · EDS · 截面观察
SEMEDS
21
透射电子显微镜 (TEM) 表征
高分辨成像 · SAED · 截面制样
TEMSAED
22
原子力显微镜 (AFM) 表征
形貌扫描 · 相位成像 · 摩擦力显微镜
AFM形貌
23
电输运测量
四探针法 · FET特性 · 迁移率提取
电输运FET
24
光电响应测量
光电流成像 · 响应度 · 响应时间
光电响应
25
异质结能带对准测量
KPFM · UPS · XPS
能带KPFM
26
器件封装与稳定性
hBN封装 · ALD钝化 · 真空存储
封装稳定性
27
常见问题与故障排除
转移失败 · 界面气泡 · 电接触不良
故障排除
28
数据管理与实验记录
ELN使用 · 数据归档 · 论文图表
数据ELN
29
前沿进展与趋势
魔角石墨烯 · 铁电异质结 · 量子点异质结
前沿魔角
30
综合实战案例
从材料制备到器件测试全流程演示
实战全流程