01
WS₂材料概述
晶体结构、能带特性及光电器件应用前景
基础能带
02
沉积技术总览
CVD、PVD、ALD原理与优缺点对比
CVDPVDALD
03
CVD设备认知
管式炉系统组成：气路、温控、真空及安全规范
设备安全
04
前驱体选择
WO₃与硫粉配比、纯度及储存注意事项
前驱体配比
05
衬底准备
SiO₂/Si清洗流程（RCA标准）及亲水性处理
清洗RCA
06
生长参数设计
温度、升温速率、载气流量协同优化
工艺优化
07
成核控制
OTS自组装单层预处理调控晶粒尺寸
成核OTS
08
单层生长工艺
低压CVD窗口参数：800℃, 30min
单层CVD
09
多层生长工艺
延长生长时间/增加前驱体制备少层WS₂
多层1-5层
10
掺杂技术
Re/Mo原位掺杂实现n型/p型转换
掺杂电学
11
合金化策略
WS₂₍₁₋ₓ₎Se₂ₓ能带工程与参数调整
合金能带
12
异质结生长
WS₂/MoS₂垂直异质结一步法CVD
异质结CVD
13
转移技术
PMMA辅助湿法转移（KOH浓度与时间）
湿法PMMA
14
干法转移
PDMS干法转移在柔性衬底上的应用
干法PDMS
15
表征基础
光学显微镜衬度对比与层数快速判定
OM层数
16
拉曼光谱
E₂g与A₁g峰位差与层数定量关系
拉曼定量
17
光致发光谱
单层WS₂强PL峰(~630nm)与缺陷态分析
PL缺陷
18
AFM表征
厚度测量与表面粗糙度评估(RMS<0.5nm)
AFM粗糙度
19
TEM分析
高分辨晶格条纹与选区电子衍射花样
TEM衍射
20
XPS分析
W 4f与S 2p核心能级谱化学态拟合
XPS拟合
21
电学测试
背栅FET器件制备：光刻/蒸镀电极工艺
FET光刻
22
迁移率提取
从转移曲线计算场效应迁移率 μ
迁移率公式
23
光响应测试
响应度R与响应时间τ测量
光电响应
24
稳定性评估
空气中长期稳定性（30天连续测试）
稳定性老化
25
工艺重复性
批次间均匀性统计过程控制(SPC)
SPC均匀性
26
故障排除
无沉积、颗粒状、不均匀原因分析
故障诊断
27
安全规范
硫化物毒性防护、高温安全与废液处理
安全环保
28
前沿进展
晶圆级WS₂：MOCVD与金属有机前驱体
晶圆级MOCVD
29
应用案例
柔性电子、传感、催化典型实例
应用柔性
30
未来展望
二维异质集成与超越硅基CMOS路线图
展望路线图