01
PERC电池基础与产线概览
PERC电池结构原理、工艺流程简介、关键设备认知、常见不良品分类
基础概览
02
制绒工序问题排查（上）
反射率偏高、绒面不均匀、黑边/白斑问题
制绒上
03
制绒工序问题排查（下）
花篮印、药液残留、碎片率异常、槽体污染
制绒下
04
扩散工序问题排查（上）
方块电阻异常（偏高/偏低）、方阻均匀性差
扩散上
05
扩散工序问题排查（下）
磷硅玻璃（PSG）残留、漏电、绕镀、石英舟印
扩散下
06
刻蚀工序问题排查（上）
边缘刻蚀不净、刻蚀过度、刻蚀均匀性差
刻蚀上
07
刻蚀工序问题排查（下）
背面抛光效果差、滚轮印、水痕、碎片
刻蚀下
08
退火与氧化工序问题排查
退火后少子寿命低、氧化层厚度异常、色差
退火氧化
09
背面钝化层（AlOx/SiNx）沉积问题排查（上）
镀膜均匀性差、膜厚异常、折射率异常
钝化上
10
背面钝化层（AlOx/SiNx）沉积问题排查（下）
针孔、剥落、色差、PECVD腔体污染
钝化下
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正面减反层（SiNx）沉积问题排查
膜厚与折射率漂移、色差、氢钝化效果差、抗PID能力不足
减反层SiNx
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激光开槽问题排查
开槽线宽异常、开槽深度不够、热影响区过大、激光漏切/过切
激光开槽
13
丝网印刷工序问题排查（上）
印刷断栅、虚印、栅线高度/宽度异常、印刷偏移
印刷上
14
丝网印刷工序问题排查（下）
铝背场（BSF）印刷不良、烧结后EL发黑、漏浆、网版寿命短
印刷下
15
烧结工序问题排查
烧结温度曲线异常、接触电阻高、过烧/欠烧、EL明暗片
烧结温度
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光注入与测试分选问题排查
光注入后效率增益不足、测试分选误差、IV测试异常
测试分选
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EL测试常见缺陷分析（上）
黑片、黑斑、黑边、隐裂
EL上
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EL测试常见缺陷分析（下）
明暗片、断栅、手指发黑、雪花片
EL下
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PL测试常见缺陷分析
PL黑斑、PL明暗差异、PL均匀性差
PL缺陷
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效率与电性能参数异常分析（上）
开路电压（Voc）偏低、短路电流（Isc）偏低
电性能上
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效率与电性能参数异常分析（下）
填充因子（FF）偏低、串联电阻（Rs）偏高、并联电阻（Rsh）偏低
电性能下
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辅料与化学品质量问题排查
银浆/铝浆性能异常、气体纯度不达标、化学品浓度偏差
辅料化学品
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设备异常导致的问题排查
PECVD射频功率不稳、丝网印刷机对位偏差、烧结炉温控异常
设备异常
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环境与操作问题排查
洁净度不达标、温湿度影响、人员操作不规范
环境操作
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PERC电池PID效应问题排查
PID现象与机理、抗PID工艺调整、PID测试与恢复
PID效应
26
LID与LeTID问题排查
光致衰减（LID）机理、热辅助光致衰减（LeTID）机理、抑制措施
LIDLeTID
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产线良率提升与成本控制
碎片率控制、辅料消耗优化、返工片处理
良率成本
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异常品分析与失效分析流程
异常品取样、分析工具（SEM/EDX/ECV/QSSPC）应用、根因定位
失效分析工具
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工艺监控与SPC应用
关键工艺参数监控、CPK计算、控制图判异、异常预警机制
SPC监控
30
PERC电池技术演进与未来趋势
PERC+、TOPCon、HJT技术对比、产线升级路径
趋势升级