01
光衰现象概述
什么是光衰（LID/LeTID），光衰对组件发电量的影响，行业痛点与挑战。
LIDLeTID发电量
02
光衰的物理本质
载流子复合机制（SRH复合、俄歇复合），缺陷态的形成与演化。
SRH俄歇缺陷态
03
硼氧复合体模型
硼氧对的形成条件，光照与温度对硼氧复合体的激活作用。
硼氧对激活
04
Fe-B对缺陷机制
铁杂质在硅片中的存在形式，Fe-B对的光致解离与复合。
铁杂质Fe-B
05
热辅助光衰（LeTID）
LeTID与LID的区别，高温高注入条件下的退化行为。
LeTID高温
06
光衰的测试标准
IEC 61215标准中的光衰测试方法，实验室加速老化方案。
IEC 61215加速老化
07
光衰的量化表征
EL图像分析，光致发光（PL）成像，少子寿命测试。
ELPL少子寿命
08
硅片质量对光衰的影响
CZ硅与FZ硅的差异，氧含量与碳含量的作用。
CZFZ氧含量
09
掺杂元素的影响
硼掺杂与镓掺杂的对比，磷掺杂的稳定性。
硼掺杂镓掺杂
10
金属杂质污染
铁、铜、镍等过渡金属的扩散与沉淀，吸杂工艺的作用。
过渡金属吸杂
11
PERC电池的光衰特性
PERC结构对LID的敏感性，钝化层的退化机制。
PERC钝化层
12
TOPCon电池的光衰特性
隧穿氧化层与多晶硅层的稳定性，氢钝化的作用。
TOPCon氢钝化
13
HJT电池的光衰特性
非晶硅薄膜的稳定性，TCO层对光衰的影响。
HJTTCO
14
IBC电池的光衰特性
叉指背接触结构的特殊光衰行为。
IBC叉指背接触
15
光衰抑制策略总览
从材料到工艺的系统性解决方案。
系统方案
16
低氧硅片技术
MCZ硅片、CCZ硅片，氧含量控制工艺。
MCZCCZ低氧
17
镓掺杂替代技术
镓掺杂硅片的优势，量产工艺挑战。
镓掺杂量产
18
预退火工艺
高温预处理对硼氧复合体的分解作用，工艺窗口优化。
预退火硼氧分解
19
光注入退火技术
光照与温度协同作用，工业化实施方案。
光注入退火
20
电注入退火技术
电流注入的钝化机制，设备与工艺参数。
电注入钝化
21
氢钝化技术
氢在硅中的扩散与钝化机制，氢源与钝化工艺。
氢钝化扩散
22
Al₂O₃钝化层优化
原子层沉积（ALD）工艺，界面态密度控制。
Al₂O₃ALD
23
SiNx钝化层优化
氢含量调控，折射率与钝化效果的关系。
SiNx折射率
24
吸杂工艺优化
磷吸杂与铝吸杂的机理，工艺参数对光衰的抑制效果。
磷吸杂铝吸杂
25
快速热处理（RTP）技术
RTP对缺陷的修复作用，温度与时间优化。
RTP缺陷修复
26
组件端光衰抑制
层压工艺优化，封装材料的选择。
层压封装
27
光衰的监测与预警
在线EL检测，大数据分析在光衰预测中的应用。
EL检测大数据
28
光衰与组件可靠性
光衰对组件长期可靠性的影响，加速老化测试。
可靠性老化
29
光衰抑制的经济性分析
不同抑制策略的成本对比，投资回报率评估。
成本ROI
30
未来展望
新型硅片技术（如异质结硅片），AI在光衰预测与工艺优化中的应用。
异质结AI